ALGAINAS

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Hybrid AlGaInAs/Si Fabry–Pérot lasers with near-total mode confinements
《Journal of Semiconductors》2018年第8期41-46,共6页Yuede Yang Shaoshuai Sui Mingying Tang Jinlong Xiao Yun Du Andrew W.Poon Yongzhen Huang 
supported by the Key Research Program of Frontier Sciences,Chinese Academy of Sciences(No.QYZDJ-SSW-JSC002);the NSFC/RGC Joint Project(No.61431166003);the National Natural Science Foundation of China(No.61377105)
We have proposed and demonstrated hybrid Al Ga In As/Si Fabry–Pérot(FP) lasers, with the FP cavity facet covered by the p-electrode metal for enhancing mode confinement. Continuous-wave lasing is obtained at room te...
关键词：hybrid AlGaInAs/Si laser Fabry–Pérot cavity mode Q factor metal confinement 
High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current
《Journal of Semiconductors》2013年第11期70-73,共4页董振 王翠鸾 井红旗 刘素平 马骁宇 
supported by the National Military Electronic Component Program of China(No.1107XG0700)
To achieve low threshold current as well as high single mode output power, a graded index separate confinement heterostructure （GRIN-SCH） A1GaInAs/A1GaAs quantum well laser with an optimized ridge wave- guide was fa...
关键词：semiconductor laser low threshold ridge waveguide single mode 
1550nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifier Based on AlGaInAs-InP
《Journal of Semiconductors》2004年第7期745-748,共4页马宏 朱光喜 易新建 
Polarization insensitive AlGaInAs InP semiconductor optical amplifier is realized at a wavelength of 1550nm.The active layer consists of three tensile strained wells with strain 0 40%.The amplifiers are fabricated ...
关键词：polarization  insensitive AlGaInAs  InP optical amplifier MOCVD 
生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响
《Journal of Semiconductors》1999年第12期1054-1058,共5页陈博 王圩 
国家"863"高技术计划;国家自然科学基金!(批准号:69896260)
研究不同生长温度下的ＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长，用光致发光和Ｘ射线双晶衍射等测试手段分析了其材料特性，得到了室温脉冲激射１．３μｍ ＡｌＧａＩｎＡｓ 有源区ＳＣＨ－ＭＱＷ 结构材料，为器件...
关键词：半导体激光器 INP ALGAINAS LP-MOCVD 生长温度 
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