ALGAINP

作品数：115被引量：162H指数：6
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微型倒装AlGaInP发光二极管阵列器件的光电性能被引量：5
《光学学报》2018年第9期315-322,共8页班章 梁静秋 吕金光 李阳 
国家自然科学基金(61274122);吉林省科技发展计划(20160204007GX;20180201024GX);广东省科技发展计划(2016B010111003);中国科学院创新促进会基金(2014193;2018254);长春市科技计划(2013269)
为进一步提高红光微型发光二极管(LED)阵列器件的能量利用效率,对倒装AlGaInP LED阵列器件的光电性能进行研究。首先,测试对比了垂直型和倒装型AlGaInP LED两种芯片结构的出光性能,表明倒装型LED具有更高的出光功率。其次,建立了倒装型...
关键词：光学器件 微型 倒装 红光 AlGaInP发光二极管阵列 
AlGaInP材料LED微阵列热学特性分析被引量：5
《光学学报》2016年第1期246-253,共8页李贺 梁静秋 梁中翥 田超 秦余欣 吕金光 王维彪 
国家自然科学基金(61274122);吉林省科技发展项目(20100351;20120323);长春市科技发展计划项目(12ZX21)
发光二极管(LED)微阵列芯片在工作时积累的热量使结温过高,进而对LED微阵列芯片造成一系列不利影响,严重降低LED微阵列芯片工作的可靠性,甚至造成永久性损坏。散热问题是制约LED微阵列芯片工作性能提高的关键因素,是LED微阵列芯片在制...
关键词：光学器件 热学特性 有限元分析 发光二极管微阵列 热沉 ALGAINP 
AlGaInP-LED微阵列单元的热效应分析被引量：1
《发光学报》2014年第7期840-845,共6页田超 梁静秋 梁中翥 秦余欣 李春 吕金光 王维彪 
国家自然科学基金(61274122);吉林省科技发展项目(20100351;20120323);长春市科技发展计划(12ZX21)资助项目
对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子效率与注入电流的变化关系及器件温度与所加偏压的变化关系。为保证内量子效率取值范围大于85%,得到了器...
关键词：ALGAINP 回型电极 微型阵列 热效应 热沉结构 
双条形电极结构AlGaInP-LED微阵列器件的设计和实验研究被引量：3
《发光学报》2013年第11期1494-1499,共6页田超 梁静秋 梁中翥 秦余欣 王维彪 
国家自然科学基金(61274122;61007023);吉林省科技发展项目(20100351;20120323)资助项目
设计了一种基于AlGaInP发光材料的像素为320×240、单元像素面积为100μm×100μm微型LED阵列。通过仿真和分析,设计了一种双条形电极结构。考虑到不同电极宽度下的电流分布情况以及电极的遮光效应,设计了电极宽度为13μm的优化电极结构...
关键词：ALGAINP 微阵列 双条形电极 微光机电系统 
AlGaInP DH-LED的pn结特性被引量：2
《发光学报》2013年第9期1213-1218,共6页高丹 梁静秋 梁中翥 田超 秦余欣 王维彪 
国家自然科学基金(20120323;61007023);吉林省科技发展计划(20100351);吉林省科技厅项目(61274122)资助
针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压...
关键词：ALGAINP 电压电流特性 PN结 简并半导体 
发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备被引量：1
《微细加工技术》2005年第4期76-80,共5页金霞 梁静秋 李佳 赵莉娜 王维彪 
吉林省科技发展计划资助项目(20030513)
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的...
关键词：微显示器件 发光二极管阵列 隔离沟槽 湿法腐蚀 欧姆接触 ALGAINP GAP 
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