ALGAINP

作品数:115被引量:162H指数:6
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相关作者:沈光地陈良惠马骁宇范广涵梁静秋更多>>
相关机构:山东浪潮华光光电子股份有限公司北京工业大学山东华光光电子股份有限公司中国科学院更多>>
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《固体电子学研究与进展》2019年(第39卷)第1~6期总目次
《固体电子学研究与进展》2019年第6期I0001-I0008,共8页
关键词:ALGAINP 电流崩塌 《固体电子学研究与进展》 
具有ITO/Ti3O5薄膜结构的高亮度AlGaInP LED
《固体电子学研究与进展》2019年第3期199-202,共4页孙学智 白继锋 
吉林省教育科学“十三五”规划2018年度课题(GH180885)
采用ITO/Ti3O5薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层、窗口层、电流阻挡层和增透膜层。通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度。通过ITO/Ti3O5增透膜设计提升LED的光提取效率。具有该ITO/Ti3O5薄...
关键词:ALGAINP ITO 电流扩展 肖特基结 
黄绿光发光二极管光衰性能研究
《固体电子学研究与进展》2019年第3期203-206,共4页高鹏 冯彦斌 李维环 吴超瑜 高文浩 付贤松 宁振动 
天津市科技支撑、新材料重大专项项目(17YFZCGX00330,18ZXCLGX00080)
AlGaInP是GaAs基LED有源区主要材料,广泛应用于黄绿光至红光波段的LED。但在短波段尤其是黄绿光波段(565~575nm),因其材料组成较接近间接带隙,其发光效率和稳定性存在问题。目前黄绿光功率衰减以俄歇复合损耗、非复合辐射中心损耗、载...
关键词:AlGaInP发光二级管 黄绿光 光衰 多量子阱 
P-AlInP限制层掺杂对AlGaInP红光LED发光亮度影响
《固体电子学研究与进展》2019年第2期127-130,154,共5页高文浩 冯彦斌 李维环 吴超瑜 高鹏 付贤松 宁振动 
天津市科技支撑;新材料重大专项项目(17YFZCGX00330;18ZXCLGX00080)
针对四元系AlGaInP红光发光二极管在制备过程中,材料的掺杂特性对于器件性能影响巨大,尤其是AlInP限制层材料的掺杂,对于器件光电性能具有明显的影响。在实际生产过程中P型掺杂浓度的波动非常大,明显影响到红光LED的发光均匀性。从不同...
关键词:P掺杂 发光二极管 发光强度 
AlGaInP红光LED的复合分布式布拉格反射镜的生长优化被引量:1
《固体电子学研究与进展》2018年第6期434-438,共5页刘仲明 牛萍娟 王迪 刘宏伟 卢天博 于丹丹 郏成奎 
国家自然科学基金资助项目(61575144;61504093);天津市科技计划资助项目(16YFXTGX00230);天津市大学生创新项目(201710058072)
复合分布式布拉格反射镜(DBR)可以拓展反射图谱的宽度,从而能够反射更长波长的光,通过设计不同的波长组合得到的复合分布式布拉格反射镜可以优化其反射率。采用金属有机化合物化学气相沉淀法生长复合分布式布拉格反射镜样品,并使用光致...
关键词:复合分布式布拉格反射镜设计 红光发光二极管 AlGaInP材料 外延生长 
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