BSIM

作品数：21被引量：28H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩郑生刘军海潮和李瑞贞李庆华更多>>
相关机构：杭州电子科技大学中国科学院微电子研究所华东师范大学北京华大九天科技股份有限公司更多>>
相关期刊：《微电子技术》《Journal of Microelectronic Manufacturing》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》更多>>
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基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1
《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前 王悦杨 唐敏 刘伟景 
国家自然科学基金(62174055)。
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型 直流特性 参数提取 
伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：1
《半导体技术》2018年第1期15-23,共9页刘芳 陈燕宁 李建强 付振 袁远东 张海峰 唐晓柯 
随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM...
关键词：伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM) 阈值电压 饱和电流 电荷密度 夹断电势 电容模型 
一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型
《半导体技术》2018年第1期42-47,共6页朱袁科 李文钧 陆海燕 刘军 
提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（o...
关键词：FINFET 变容管 BSIM-CMG 参数提取 模型 
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