BSIM

作品数：21被引量：28H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：韩郑生刘军海潮和李瑞贞李庆华更多>>
相关机构：杭州电子科技大学中国科学院微电子研究所华东师范大学北京华大九天科技股份有限公司更多>>
相关期刊：《微电子技术》《Journal of Microelectronic Manufacturing》《微电子学与计算机》《Chinese Journal of Electronics》更多>>
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Mathematical modeling of nanoscale MOS capacitance in the presence of depletion and energy quantization in a poly-silicon gate
《Journal of Semiconductors》2010年第11期5-8,共4页Amit Chaudhry J.N.Roy 
A model has been developed to study the effect of depletion and energy quantization at the poly-silicon /oxide interface on the behavior of a nanometer scale n-MOSFET.A model of inversion charge density,including the ...
关键词：BSIM inversion layers MOS devices QUANTIZATION poly-depletion poly-quantization 
BSIM Model Research and Recent Progress被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第3期388-396,共9页何进 陈文新 奚雪梅 宛辉 品书 阿里.力克纪达 胡正明 
SRC基金(批准号:2002 -NJ-1001,2003 -NJ-1134);香港RGC基金(批准号:HKUST6111/03E)资助项目~~
The continued development of CMOS technology and the emergence of new applications demand continued improvement and enhancement of compact models. This paper outlines the recent work of the BSIM project at the Univers...
关键词：compact modeling BSIM5 BSIM4 BSIMSOI device physics MOSFETS 
基于遗传算法的BSIM SOI模型参数提取被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1676-1680,共5页李瑞贞 韩郑生 
提出了一种提取BSIMSOI模型参数的新方法,该方法基于遗传算法和局部优化法的结合,同时具有全局优化和局部优化的优点,提取的参数物理意义明确,并且容易得到全局最优解.该方法计算简单,不需要对模型进行深入了解和丰富的参数提取经验,易...
关键词：遗传算法 SOI 参数提取 
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