CMOS集成

作品数:369被引量:446H指数:9
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基于动态元件匹配的CMOS集成温度传感器设计被引量:3
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1824-1829,共6页江海 吕坚 徐建华 蒋亚东 
国家杰出青年基金资助项目(批准号:60425101)~~
利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性,设计了一种精度较高的温度传感器.动态元件匹配的应用很好地解决了由于集成电路工艺误差引起的不匹配对温度传感器性能的影响.采用CSMC0.5μm混合信号工艺仿真,结果显示,该温度传感器精度是0...
关键词:动态元件匹配 衬底型双极晶体管 温度传感器 
一个应用于PHS系统的低噪声低功耗全数控LC振荡器
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1836-1843,共8页王少华 于光明 刘勇攀 杨华中 
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA01Z224);国家自然科学基金重大科学计划(批准号:90207001;90307016)资助项目~~
针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣΔ调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC0.18μmCMOS工艺下设计了一种低噪声低功耗的DCO.经测试得到,...
关键词:CMOS集成电路 全数控LC振荡器 相位噪声 数控MOS变容管 数字∑△调制器 
薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取被引量:2
《Journal of Semiconductors》2002年第9期952-956,共5页刘红侠 郝跃 
国家高技术研究与发展计划资助项目 (No.863 -So C-Y-3 -6-1)~~
采用恒定电流应力对薄栅氧化层 MOS电容进行了 TDDB评价实验 ,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法 .该方法根据电荷陷落的动态平衡方程 ,测量恒流应力下 MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频 C- V曲线变化求解陷阱密...
关键词:薄栅氧化膜 经时击穿 陷阱密度 累积失效率 CMOS集成电路 
CMOS集成电路用Φ150—200mm外延硅材料被引量:2
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1538-1542,共5页王启元 林兰英 何自强 龚义元 蔡田海 郁元桓 何龙珠 高秀峰 王建华 邓惠芳 
"九五"国家重点科技攻关计划资助项目~~
报道了 Φ15 0 m m CMOS硅外延材料的研究开发及集成电路应用成果 ,对 Φ2 0 0 mm P/P-硅外延材料进行了初步探索研究 .Φ15 0 m m P/P+硅外延片实现了批量生产 ,并成功应用于集成电路生产线 ,芯片成品率大于 80 % .
关键词: 外延生长 CMOS 集成电路 
一种新的模块自动生成技术及其系统
《Journal of Semiconductors》1995年第3期212-217,共6页蔡懿慈 洪先龙 
国家自然科学基金
本文提出一种适于CMOS集成电路的柔性模块生成器,该系统将电路描述按照一定的约束条件(布图面积即模块高度和宽度或宽长比,PIN的位置,最大延迟)自动转换成版图.本文采用了一种二维的柔性模块布图模型,使系统具有一定的灵...
关键词:CMOS集成电路 集成电路 模块自动生成 
具有脉宽调制输出的CMOS集成流量传感器
《Journal of Semiconductors》1990年第5期399-402,共4页黄金彪 童勤义 
国家自然科学基金
本文介绍一种数字化输出的集成流量传感器,传感器由温敏元件、加热元件和触发器组成,电路连接使得传感器工作在加热和冷却的振荡状态,产生方波输出,其脉冲宽度用作为流速的量度。该传感器由通用的CMOS工艺制成。
关键词:集成流量 传感器 CMOS 数字化输出 
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