CMOS实现

作品数:9被引量:15H指数:3
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瑞萨通过标准CMOS实现28nm工艺DRAM混载技术
《中国集成电路》2011年第6期11-11,共1页
瑞萨电子开发出了利用与标准CMOS工艺相近的方法在逻辑LSI中混载DRAM的技术.该项技术面向28nm工艺以后的产品,瑞萨电子将把该工艺的SoC(SystemtmaChip)生产全面委托给代工企业。
关键词:CMOS工艺 DRAM 技术 混载 标准 LSI 电子 
一种新颖全差分光电集成接收机的标准CMOS实现被引量:4
《光电子.激光》2009年第4期432-435,共4页余长亮 毛陆虹 肖新东 
国家自然科学基金资助项目(60536030;60676038)
提出一种新颖的全差分光电集成接收机,它包含了全差分光电探测器和相应的差分接收电路,其中全差分光电探测器的作用是实现入射光信号到全差分光生电流信号的转换。采用特许3.3V、0.35μm标准CMOS工艺,实现了一种相应的宽带、高灵敏度全...
关键词:标准CMOS 全差分 光电集成 光接收机 
异步控制set-C单元的三种CMOS实现
《微计算机信息》2008年第26期274-276,共3页罗玲玉 杨银堂 周端 徐阳扬 
国家自然基金资助项目(90407016)项目名称:高性能SOC异步互连技术研究
本文提出了由CMOS实现的带set置位端C单元电路(记为set-C单元)的三种不同实现方案,介绍了每种方案下的管级电路及工作原理。采用0.25um标准CMOS工艺的瞬态仿真验证了所提出设计方案的正确性。通过HSPICE仿真,给出了三种方案的能耗、上...
关键词:异步控制 set-C单元 CMOS实现 仿真 能耗 延时 
一种通用的CMOS单管脚振荡器
《电脑知识与技术(过刊)》2007年第14期470-471,590,共3页姜明方 刘章发 苗莹 
本文所描述的设计实现了基于0.18-μm CMOS工艺的单端振荡器.由于应用了本文中介绍的电路结构并且其片内集成了15pF用CMOS栅电容实现的电容(包括负载电容),芯片的面积非常小.这种电路可以工作在电源电压1.6-3.6V的电路中,要求的晶体振...
关键词:石英晶体 单端振荡器 CMOS实现 振荡频率 电容网络 
宽带低相位噪声锁相环型频率合成器的CMOS实现被引量:3
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1838-1843,共6页陈作添 吴烜 唐守龙 吴建辉 
用0.25μm标准CMOS工艺实现了单次变频数字有线电视调谐器中的频率合成器.它集成了频率合成器中除LC调谐网络和有源滤波器外的其他模块.采用I^2C控制三个波段的VCO相互切换,片内自动幅度控制电路和用于提升调谐电压的片外三阶有源...
关键词:频率合成器 相位噪声 锁相环 压控振荡器 预分频器 
0.25μmCMOS实现的用于IEEE802.11b无线收发机射频模块的设计
《军民两用技术与产品》2006年第3期43-45,共3页李娜 廖波 
无线局域网技术由于具有可移动接入、方便灵活等优势,近年来倍受重视,应用前景广阔。提出了基于IEEE802.11b协议的无线局域网收发机的系统总体设计方案,以此为基础,重点设计了系统的射频模块,包括低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)。采...
关键词:IEEES02.11b 无线收发机 CMOS射频集成电路(RFIC) 低噪声放大器(LNA) 混频器(Mixer ) 
射频锁相环型频率合成器的CMOS实现被引量:6
《电子学报》2004年第11期1761-1765,共5页池保勇 石秉学 王志华 
国家重大基础研究 (973)项目 (No .G2 0 0 0 0 3650 8)
本论文实现了一个射频锁相环型频率合成器 ,它集成了压控振荡器、双模预分频器、鉴频鉴相器、电荷泵、各种数字计数器、数字寄存器和控制电路以及与基带电路的串行接口 .它的鉴频鉴相频率、输出频率和电荷泵的电流大小都可以通过串行接...
关键词:锁相环 频率合成器 射频 CMOS 
硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现被引量:2
《半导体技术》2001年第9期1-2,16,共3页梁恩主 冯军 郑婉华 王志功 陈良惠 
介绍前置电路对光电探测器性能的影响和给出一种适用于硅基光电探测器前置放大电路的输入级CMOS实现。
关键词:光电集成电路 CMOS 光电探测器 前置放大电路 硅基 
CMOS实现的口令设置算法
《计算机应用》1996年第2期66-66,共1页杨峰 
本文在分析80X86系列机CMOS特点的基础上,提出的一个适合小型数据系统的口令设置办法。
关键词:CMOS 口令设置 算法 软件 
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