CMP工艺

作品数：32被引量：96H指数：6
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相关作者：陈岚徐勤志刘玉岭孙艳牛新环更多>>
相关机构：河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《半导体信息》《电子工业专用设备》更多>>
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用于铜互连CMP工艺的络合剂研究进展被引量：3
《微电子学》2020年第3期403-409,共7页孙晓琴 檀柏梅 高宝红 牛新环 刘孟瑞 高鹏程 刘玉岭 
国家中长期科技发展规划-科技重大专项项目(2016ZX02301003-004-007);国家青年自然科学基金资助项目(61704046);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。
化学机械平坦化(CMP)是实现65 nm及以下技术节点多层铜互连表面全局平坦化的唯一可靠工艺。络合剂为抛光液的主要组分,对材料去除速率、表面完整性起着至关重要的作用。综合分析了不同官能团的络合剂在铜互连CMP工艺中的应用研究现状,...
关键词：铜互连 化学机械平坦化 络合剂 官能团 材料去除速率 
CMP工艺对Co/Cu去除速率及速率选择比的影响研究被引量：5
《微电子学》2018年第5期699-704,共6页季军 何平 潘国峰 王辰伟 张文倩 杜义琛 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省高等学校科学技术研究重点项目(ZD2016123)
化学机械抛光(CMP)工艺中,选用了固定的抛光液组分,即3%体积百分比的FA/O型螯合剂、3%体积百分比的FA/O I型非离子表面活性剂、5% SiO_2。首先研究了不同抛光工艺参数,包括抛光压力、抛光头/抛光盘转速、抛光液流量等,对Co/Cu去除速率...
关键词：钴 铜 化学机械抛光工艺 正交试验 去除速率 速率选择比 
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