CMP工艺

作品数：32被引量：96H指数：6
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陈岚徐勤志刘玉岭孙艳牛新环更多>>
相关机构：河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《半导体信息》《电子工业专用设备》更多>>
相关基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家科技重大专项河北省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
铜互连CMP工艺技术分析
《集成电路应用》2024年第7期78-79,共2页宋红伟 宋洁晶 秦龙 
阐述CMP设备抛光头压力和抛光液中H_(2)O_(2)浓度对TSV工艺面铜去除速率和平坦化的影响。分析发现,粗抛压力3.0psi、精抛压力1.0psi、H_(2)O_(2)浓度2wt%时CMP加工效率高且通孔碟坑深度≤0.5μm。
关键词：集成电路制造 TSV CMP 去除速率 平坦化 
CMP工艺参数对AlGaInP基LED衬底转移的影响
《激光杂志》2024年第3期224-229,共6页王嘉伟 许英朝 杨凯 鹿晨东 范浩爽 陆逸 
福建省自然科学基金面上项目(No.2019J01876);厦门市科技计划重大项目(No.3502ZCQ20191002)。
以GaP/Al2O3/SiO2引导式出光结构作为芯片键合层,通过化学机械抛光工艺减少AlGaInP基Mini-LED衬底转移过程中出现的外延层空洞,提高芯片制备工艺良率。以材料去除速率和表面粗糙度作为技术评价指标,基于单因素实验结果对抛光压力、抛光...
关键词：化学机械抛光工艺 ALGAINP 正交试验 表面粗糙度 良率 
表面活性剂在集成电路多层布线CMP工艺中的应用研究被引量：1
《润滑与密封》2024年第1期155-162,共8页占妮 牛新环 闫晗 罗付 屈明慧 刘江皓 邹毅达 周建伟 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);国家自然科学基金项目(62074049);河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表...
关键词：表面活性剂 化学机械抛光 多层布线 集成电路 抛光液 
pH调节剂在CMP工艺中的应用研究进展被引量：1
《半导体技术》2024年第1期30-38,共9页董常鑫 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 何潮 李鑫杰 
国家科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家自然科学基金(62074049);河北省自然科学基金(F2021202009)。
pH调节剂在化学机械抛光(CMP)工艺中有重要应用,可以调节抛光液的pH值以确保抛光过程的化学反应在理想的pH值下进行,同时保持抛光化学环境的稳定等。对无机酸、有机酸、无机碱和有机碱四大类pH调节剂在合金、金属和金属化合物等材料的CM...
关键词：PH调节剂 化学机械抛光(CMP) 抛光液 稳定性 平坦化 
CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究被引量：1
《电子工业专用设备》2023年第1期28-30,64,共4页李岩 于静 戴豪 钱震坤 
CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标。针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响。结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求。
关键词：化学机械平坦化(CMP) 清洗液 颗粒度 
铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展被引量：3
《润滑与密封》2022年第12期164-171,共8页闫晗 牛新环 张银婵 朱烨博 侯子阳 屈明慧 罗付 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);天津市自然科学基金项目(16JCYBJC16100);河北省自然科学基金项目(F2021202009)。
抛光液是铜互连CMP的关键要素之一,在CMP中每种成分发挥不同的功能,其中缓蚀剂的选择及性能对抛后的表面质量会产生直接影响。对近年来铜互连CMP中各类缓蚀剂的研究进展以及缓蚀剂与不同类型添加剂间的复配协同进行归纳总结,同时介绍缓...
关键词：铜互连 化学机械抛光 缓蚀剂 集成电路 
以甘氨酸为代表的氨基酸类化学添加剂在CMP工艺中的应用研究被引量：6
《应用化工》2021年第8期2249-2253,共5页张银婵 牛新环 周佳凯 杨程辉 冯子璇 常津睿 侯子阳 朱烨博 
国家02重大专项(2016ZX02301003-004_007);天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加...
关键词：甘氨酸 氨基酸 化学机械抛光 综述 应用 
基于仿真分析的设备微环境控制技术被引量：1
《电子工业专用设备》2021年第3期8-11,共4页杨师 史霄 杨元元 李龙飞 王洪宇 
论述了一种基于仿真分析的半导体设备内部空间气流路径、紊流位置、各分区风压的闭环反馈系统及结构,目的在于使设备能够自动净化内部空间气体,防止颗粒凝结,从而达到控制并改善半导体设备内部微环境的目的。
关键词：集成电路 芯片 微环境 CMP工艺 
基于田口方法的混合集成基板CMP工艺优化研究被引量：1
《电子机械工程》2021年第3期55-58,共4页谢迪 李浩 王从香 侯清健 崔凯 
为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic,LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)工艺使基板表面平坦化。文中探讨了基于田口试验...
关键词：化学机械抛光 混合集成基板 粗糙度 选择比 田口方法 参数优化 
用于铜互连CMP工艺的抛光液研究进展及发展趋势被引量：16
《电子元件与材料》2020年第9期12-18,共7页周佳凯 牛新环 杨程辉 王治 崔雅琪 
国家科技重大专项(02专项)(2016ZX02301003-004_007);天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。
在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面。CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局...
关键词：铜互连 化学机械抛光 综述 抛光液 发展方向 
全选清除导出
共4页<1234>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部