DOUBLE

作品数：2576被引量：4011H指数：20
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一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS
《微电子学》2008年第6期869-872,共4页廖红 张伟 罗小蓉 张波 李肇基 顾晶晶 
国家自然科学基金重点资助项目(60436030)
提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用DoubleRESURF技术,在漂移区中引入两区的P降场层,有效降低了器件的比导通电阻,并提高...
关键词：功率器件 埋栅 DOUBLE RESURF S0i LDMOS 
智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现
《Journal of Semiconductors》2007年第12期1961-1966,共6页李泽宏 王小松 王一鸣 易坤 张波 李肇基 
国家自然科学基金(批准号:60436030);国防基础科研基金(批准号:A1120060490)资助项目~~
基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENS...
关键词：智能功率集成电路 高压SENSFET DOUBLE RESURF JFET 
A High Voltage BCD Process Using Thin Epitaxial Technology被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第11期1742-1747,共6页乔明 肖志强 方健 郑欣 周贤达 徐静 何忠波 段明伟 张波 李肇基 
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030);国家"十一五"军事电子预研项目(批准号:51308010401)资助~~
A high voltage BCD process using thin epitaxial technology is developed for high voltage applications. Compared to conventional thick expitaxial technology, the thickness of the n-type epitaxial layer is reduced to 9...
关键词：BCD process thin epitaxial technology double RESURF LDMOS 
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