EEACC

作品数：15被引量：57H指数：4
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：江金光王耀南周玉梅叶青黄令仪更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院微电子研究所复旦大学北京大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《现代电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第7期831-835,共5页石瑞英 孙海锋 袁志鹏 罗明雄 汪宁 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 3 )~~
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词：发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560B 2560J 2560Z 
HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应被引量：7
《Journal of Semiconductors》2004年第7期841-846,共6页王成刚 韩德栋 杨红 刘晓彦 王玮 王漪 康晋锋 韩汝琦 
国家重点基础研究专项经费资助项目 (合同号 :G2 0 0 0 0 3 65 )~~
利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏...
关键词：HFO2栅介质 泄漏电流输运机制 Schottky发射 Frenkel—Poole发射 SILC PACC 7360 7755 EEACC 2550 2530 
SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第7期858-862,共5页安俊明 郜定山 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 
国家重点基础研究发展规划 ( No.G2 0 0 0 0 3 660 2 );国家自然科学基金 (批准号 :6988970 1)资助项目~~
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这...
关键词：SiON薄膜 Si基SiO2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130 
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