FBAR

作品数：104被引量：120H指数：5
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相关作者：高杨董树荣李君儒何婉婧黄继伟更多>>
相关机构：浙江大学中国工程物理研究院电子工程研究所西南科技大学中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
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压电AlN MEMS的新进展(续)被引量：1
《微纳电子技术》2024年第5期1-31,共31页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
压电AlN MEMS的新进展
《微纳电子技术》2024年第4期1-25,共25页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
氧化锌薄膜体声波谐振器制作重复性和均匀性被引量：2
《微纳电子技术》2019年第12期984-991,共8页陈熙 段力 翁昊天 付学成 杨志 张亚非 刘千慧 陈益钢 高明 张虎 
国家自然科学基金资助项目(61971284,61671299)
通过磁控溅射靶材的成分调控和一系列优化过的微电子机械系统(MEMS)工艺,成功研制了基于氧化锌(ZnO)压电薄膜的固体装配型薄膜体声波谐振器(FBAR)。通过使用性能优异的靶材,所得到的器件谐振性能良好。在同一种工艺条件下得到多个硅片...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 氧化锌(ZnO) 谐振频率 射频磁控溅射 集成电路 
Band 40波段体声波滤波器的设计被引量：3
《微纳电子技术》2016年第7期444-448,共5页韩茜茜 欧毅 李志刚 欧文 叶甜春 
国家自然科学基金面上项目(61274119);国家自然科学基金青年项目(61306141)
射频(RF)滤波器在4G移动通信(如Band 40波段)中具有广泛应用。描述了基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的RF滤波器的设计和制作方法。体声波滤波器是由FBAR以T型结构级联的方式实现的。在滤波器的设计过程中,为了使仿真结果更接近于实际情...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 射频(RF)滤波器 BAND 40 Mason模型 T型结构 
薄膜体声波谐振器的测试与表征被引量：5
《微纳电子技术》2015年第10期660-665,共6页蔡洵 高杨 黄振华 刘海涛 
国家自然科学基金资助项目(61574131);中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金资助项目(2014ZA001);西南科技大学特殊环境机器人技术四川省重点实验室开放基金资助项目(14zxtk01);重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金资助项目(2013MS04);中国工程物理研究院电子工程研究所创新基金资助项目(S20141203);西南科技大学研究生创新基金资助项目(15ycx122;15ycx123;15ycx125)
为了表征所制备的L波段通孔型AlN薄膜体声波谐振器(FBAR)的性能,使用射频探针台和矢量网络分析仪测得FBAR的S参数,扫频步长为1 MHz;为了避免使用3 dB带宽法计算FBAR Q值产生的较大误差,采用阻抗相位微分法,在ADS软件环境下计算出FBAR的...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 品质因数 有效机电耦合系数 射频探针台 矢量网络分析仪 低阻硅 
窄带FBAR带通滤波器设计被引量：7
《微纳电子技术》2013年第8期487-493,共7页周斌 高杨 何移 李君儒 何婉婧 
中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金资助项目(2012CJMZZ00009);西南科技大学制造过程测试技术省部共建教育部重点实验室开放课题资助项目(11ZXZK03);西南科技大学研究生创新基金资助项目(13ycjj31;13ycjj36)
由薄膜体声波谐振器构成的滤波器,其带宽受压电材料机电耦合系数的影响,较难实现窄带滤波器设计。使用ADS射频仿真软件设计了一种通带为1.18～1.20 GHz的窄带薄膜体声波滤波器,分别通过比较增加无源电容元件、改变串并联谐振器面积比、...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 窄带滤波器 机电耦合系数 带宽 压电材料 先进设计系统(ADS) 
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