GAAS器件

作品数:37被引量:44H指数:3
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相关作者:崔晓英李用兵江泽流刘玉贵罗四维更多>>
相关机构:河北半导体研究所信息产业部电子第五研究所中国科学院中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊:《微细加工技术》《中国集成电路》《激光与光电子学进展》《电视技术》更多>>
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美国StratEdge公司将展示高频高速高效GaN和GaAs封装
《半导体信息》2018年第5期22-23,共2页
美国StratEdge公司将在2018年10月举办的三个行业研讨会上展示其高频、高速、高效的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)封装。公司简介美国StratEdge公司是微波、毫米波和高速数字器件的高性能半导体封装制造商,其封装满足GaN和GaAs器件的...
关键词:半导体封装 GAAS器件 ge公司 GAN 高速高效 美国 高频 公司简介 
2018年GaAs射频器件收入将飙升至80亿美元
《中国集成电路》2015年第11期11-11,共1页
根据Strategy Analytics高端半导体应用(ASA)电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示,手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力,GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后,有望在今年突破70亿美元大关...
关键词:GAAS器件 射频器件 收入 Strategy 电子数据表 手机终端 半导体 驱动力 
H_2对航天用GaAs器件可靠性的影响被引量:6
《质量与可靠性》2010年第5期30-33,共4页刘文宝 陈文卿 
分析了H2对GaAs器件可靠性的影响,在此基础上通过理论计算提出为满足航天及其它特殊应用领域,密封GaAs器件长期贮存和长寿命工作不失效对H2含量的控制要求,最后给出了控制H2含量可行的方法和工艺。
关键词:GAAS器件 H2含量 可靠性 长期贮存 长寿命工作 
GaAs器件寿命试验及其方法比较被引量:3
《电子产品可靠性与环境试验》2009年第B10期80-85,共6页崔晓英 
本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件概述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测试方...
关键词:GAAS 可靠性 加速寿命试验 寿命评估 
GaAs电阻的压电调制效应
《中国科学(A辑)》1993年第5期526-530,共5页黄庆安 童勤义 
木文提出了GaAs电阻的压电调制概念。用悬臂梁的例子,从理论和实验上研究了GaAs电阻的压电调制效应,并指出该效应与应力梯度有关。
关键词:传感器 GAAS器件 压电效应 
GaAs IC虚拟实验室
《固体电子学研究与进展》1991年第3期250-254,共5页赵国南 郭裕顺 赵东风 张蠡 
本文介绍一个用来设计及研究GaAs器件及其IC,且具有良好的图形交互界面的IC-CAD软件,它可以完成诸如示波、扫频、频谱、阻抗与电平测量、信号源发生等传统实验室中的各种硬件功能,对GaAs器件及其各类微波集成电路的分析、设计与开发有...
关键词:GAAS IC 实验室 GAAS器件 设计 
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