GAAS器件

作品数：37被引量：44H指数：3
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GaAs器件寿命试验结温测试方法研究
《电子产品可靠性与环境试验》2012年第B05期118-121,共4页洪潇 芦忠 来萍 
在GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关。对于如何确定结温问题进行了研究,介绍了热阻的定义以及目前热阻测试中常用的方法。针对GaAs器件长期使用中出现的参数漂移、输出功率下降等问题,试验设计了4种相关的单机理评...
关键词：砷化镓器件 热阻测试 结温 
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
《失效分析与预防》2010年第3期187-192,共6页崔晓英 黄云 恩云飞 
国防科技重点实验室基金项目(JS0926270)
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧...
关键词：砷化镓器件 单片微波集成电路 失效模式和机理 失效分析 
氢氧注入在GaAs器件中的应用被引量：1
《北京师范大学学报（自然科学版）》1995年第4期456-460,共5页韩卫 罗晏 朱红清 司丽荣 李国辉 
国家"八六三"高科技资助
从３个器件说明氢、氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ＋埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入隔离Ｐ＋－Ｎ－－Ｎ＋层的Ｎ－层，...
关键词：氢 氧 离子注入 砷化镓器件 
GaAs器件商业应用前景广阔
《电子材料（机电部）》1993年第9期21-23,16,共4页林金庭 
关键词：商业应用 半导体器件 砷化镓器件 
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