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作品数：49被引量：31H指数：2
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具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT被引量：2
《功能材料与器件学报》2009年第1期15-19,共5页沈珮 张万荣 谢红云 金冬月 李佳 甘军宁 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 热耦合效应 电流处理能力 
GeSi-PMODMOS器件研究
《半导体技术》2001年第9期49-53,58,共6页郑宜钧 顾军 贾永华 江锋 张铃铃 洪海燕 
国防预研科技基金赞助项目(98G8.3.1.DZ O6O1)
在分析ＰＭＯＤＭＯＳ结构以及器件物理基础上，重点研究了ＧｅＳｉ沟道中Ｇｅ含量分布、超薄栅介质层ＳｉＯ２和引帽层厚度等对ＧｅＳｉ－ＰＭＯＤＭＯＳ特性的影响。介绍了与ＧｅＳｉ－ＰＭＯＤＭＯＳ结构器件相关的超薄栅介质层（Ｐ...
关键词：异质结构 MODMOS 器件 场效应晶体管 锗 硅 
GeSi—HBT研究报告
《微电子技术》1993年第6期1-6,共6页郑宜钧 王迅 
关键词：双极晶体管 硅异质器件 GeSi-HBT 
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