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作品数：49被引量：31H指数：2
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具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT被引量：2
《功能材料与器件学报》2009年第1期15-19,共5页沈珮 张万荣 谢红云 金冬月 李佳 甘军宁 
国家自然科学基金项目(60776051;60376033);北京市自然科学基金项目;北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301)
本文对多发射极条（指）微波功率GeSiHBT进行了设计、制造和测试，并就测试结果对电流处理能力进行了研究。实验结果表明，对20—80指的GeSiHBT，发射极单位长度的电流密度I0在1．67—1．06A／cm之间变化。随发射极条数的增加，I0逐渐...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 热耦合效应 电流处理能力 
亚微米GeSi HBT的物理模型与数值模拟方法被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2000年第1期62-67,共6页吴金 杨廉峰 刘其贵 夏君 魏同立 
国家自然科学基金!6980 60 0 2;江苏省自然科学基金!BK970 0 6
系统分析了小尺寸半导体器件中的载流子非本地输运模型 ,重点研究了非均匀能带结构和异质结效应对输运电流密度的影响 .同时 ,给出了归一化处理后的系统数学模型 ,并对器件的边界条件、参数模型、方程的离散及线性化处理等问题进行了讨论 .
关键词：硅化锗 HBT 输运模型 物理模型 数值模拟 离散 线性化 半导体器件 
GeSi—HBT研究报告
《微电子技术》1993年第6期1-6,共6页郑宜钧 王迅 
关键词：双极晶体管 硅异质器件 GeSi-HBT 
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