HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>
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蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第7期1255-1258,共4页张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武 
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030201);国家基础科研基金(批准号:A1120060954)资助项目~~
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN...
关键词：ALGAN/GAN HFET 隔离 整流特性 退火 输出功率 
跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1789-1792,共4页张志国 杨瑞霞 王勇 冯震 杨克武 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:51327030201)~~
报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaNHFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为3...
关键词：ALGAN/GAN HFET 跨导 直流特性 场板 
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