HFSION

作品数：9被引量：18H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：徐秋霞冯丽萍刘正堂李永亮许高博更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所西北工业大学电子科技大学暨南大学更多>>
相关期刊：《稀有金属材料与工程》《材料开发与应用》《Chinese Physics B》《电子器件》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划西北工业大学基础研究基金北京市自然科学基金更多>>
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A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process
《Chinese Physics B》2013年第11期536-540,共5页许高博 徐秋霞 殷华湘 周华杰 杨涛 牛洁斌 余嘉晗 李俊峰 赵超 
Project supported by the Beijing Natural Science Foundation,China(Grant No.4123106);the National Science and Technology Major Projects of the Ministry of Science and Technology of China(Grant No.2009ZX02035)
A gate-last process for fabricating HfSiON/TaN n-channel metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors （NMOSFETs） is presented. In the process, a HfSiON gate dielectric with an equivalent oxide thickness of 10 ...
关键词：HFSION TAN gate-last process planarization 
Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate被引量：1
《Chinese Physics B》2010年第5期524-529,共6页胡爱斌 徐秋霞 
Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2006CB302704)
Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors （p-MOSFETs） with hafnium silicon oxynitride （HfSiON） gate dielectric and tantalum nitride （TAN） metal gate are fabricated. Self-isolated rin...
关键词：Ge substrate TRANSISTOR HFSION hole mobility 
先进的Hf基高k栅介质研究进展被引量：5
《电子器件》2007年第4期1194-1199,共6页许高博 徐秋霞 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2006CB302704);国家自然科学基金资助项目(60576032)
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,SiO2作为栅介质材料已不能满足集成电路技术高速发展的需求,利用高k栅介质取代SiO2栅介质成为微电子技术发展的必然.但是,被认为最有希望替代SiO2的HfO2由于结晶温度低等缺点,很难集成于现有的CMOS工艺...
关键词：高介电常数 HFO2 HFON HFSION HfTaON 
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