INGAAS/GAAS量子阱

作品数：13被引量：27H指数：4
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快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1749-1752,共4页苗振华 徐应强 张石勇 吴东海 赵欢 牛智川 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90201026)~~
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法...
关键词：分子束外延 高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱 快速热退火 室温光致发光 
InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究
《Journal of Semiconductors》1999年第8期656-661,共6页窦红飞 陆飞 陈效双 李宁 沈学础 
国家自然科学基金
本文报道采用双光束光致发光手段研究 Ｉｎ０．２ Ｇａ０．８ Ａｓ／ Ｇａ Ａｓ 本征样品及 ４ 种不同位置 δ掺杂样品．观察到了由 Ｈｅ Ｎｅ 激光导致的激光强度随附加的第二束激发光（白光）强度变化而演变的现象．实验结果显...
关键词：量子阱 双光束发光 砷化镓 砷镓铟化合物 
表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
《Journal of Semiconductors》1997年第1期4-9,共6页王小军 刘伟 胡雄伟 庄婉如 王启明 
本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．
关键词：量子阱 砷化镓 半导体物理 
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