INSB-IN

作品数：12被引量：24H指数：2
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InSb-In共晶体磁阻薄膜的制备及特性分析
《黑龙江科学》2024年第12期90-93,共4页李锋 
利用纯度为99.99%的铟和锑单质为原料,采用真空蒸发法,制备了InSb-In共晶体磁阻薄膜,对薄膜进行热处理。通过实验对锑化铟薄膜的物相构成、表面形貌进行分析,探讨成膜条件、退火条件等因素对薄膜结构及性能的影响。结果表明,InSb薄膜是I...
关键词：INSB薄膜 真空蒸发 热处理 灵敏度 
基于InSb-In磁阻元件的车载速度报警器的设计
《科学技术创新》2017年第15期155-155,共1页孔令慧 刘亦佳 任琴 
介绍了一种用In Sb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的车载速度报警器。此种报警器是利用汽车变速箱里的齿轮转动来检测的。该涡轮由磁钢材料制作,当转动的齿轮叶片靠近锑化铟—铟(In Sb-In)共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产...
关键词：锑化铟 磁阻效应 磁敏电阻 车速报警器 
基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计
《传感器与微系统》2009年第9期89-90,93,共3页孔令涛 黄钊洪 范莉莉 刘冰 
介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb—In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而...
关键词：锑化铟-铟 磁阻效应 磁敏电阻 流量开关 
基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计
《传感器与微系统》2009年第1期65-67,共3页刘冰 黄钊洪 孔令涛 
介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上...
关键词：InSb—In共晶体薄膜 磁敏电阻器 双限温度开关 
基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计被引量：1
《传感器与微系统》2009年第1期99-100,共2页孔令涛 黄钊洪 刘冰 
设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计，该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而产生交变信号。经过对信号的处理，单片机进行计数，可以...
关键词：锑化铟 磁阻效应 磁敏电阻 流量计 
温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
《微纳电子技术》2008年第12期734-737,共4页刘冰 黄钊洪 孔令涛 
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏...
关键词：InSb-In共晶体薄膜 磁敏电阻 温度特性 温控器 灵敏度 
一种新型材料的温度控制器的设计
《传感器世界》2008年第9期35-37,共3页刘冰 黄钊洪 孔令涛 
本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23...
关键词：INSB-IN 共晶体薄膜 磁敏电阻 双限温控器 
基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用被引量：4
《微纳电子技术》2007年第7期200-202,共3页陈科球 黄钊洪 
介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流,此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的,设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增...
关键词：锑化铟 磁阻元件 磁阻效应 电流传感器 
一种检测薄膜型InSb-In磁阻元件灵敏度的便捷方法
《传感器世界》2006年第2期25-28,共4页颜健毅 黄钊洪 
广东省自然科学基金资助项目(项目编号:31515)
本文设计了一种检测方法,它提拱精确可控制、且在一定的条件下磁感应强度的大小是稳定的磁场,同时设计了一种低噪声的放大电路对磁阻元件的输出进行测量。利用这个装置,可以精确地测量薄膜式InSb-In磁阻元件的灵敏度。本文检测并讨论了...
关键词：薄膜磁阻元件 INSB-IN 灵敏度 检测 均匀磁场 磁感应强度 
准全方位InSb-In磁阻式振动传感器
《传感器世界》2005年第2期47-49,46,共4页王蕊 黄钊洪 
广东省自然科学基金重点项目(963058);广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)
本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成,将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测,磁头上方的磁敏元件灵敏...
关键词：锑化铟-铟 振动传感器 准全方位 
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