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国际整流器推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件
《半导体信息》2014年第6期4-5,共2页江安庆 
国际整流器针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件,包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。全新功率MOSFET具有极低的导通电阻,可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20 V和30 V器件,最高栅极...
关键词：国际整流器 IR 锂离子电池 高效散热 导通电阻 导通损耗 栅极驱动 保护电路 销售副总裁 电路板空 
IR为混合动力汽车和电动车推出600V车用IGBT
《半导体信息》2014年第6期20-20,共1页赵佶 
2014年12月10日,国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0,针对混合动力汽车和电动车中的小型辅助电机驱动应用而优化,包括空调压缩机应用等。新的24A AUIRGP66524D0和AUIRGF6...
关键词：IGBT IR 国际整流器 空调压缩机 辅助电机 晶圆级 销售副总裁 标准长度 反向偏压 结温 
IR发布全新第八代1200 V IGBT平台
《半导体信息》2014年第6期20-21,共2页江安庆 
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,...
关键词：八代 IR V IGBT 国际整流器 节能应用 功率半导体 行业标准 销售副总裁 电子产品 耐用性 
ST新系列场效应整流二极管完美解决VF与IR的矛盾
《半导体信息》2014年第4期13-13,共1页郑畅 
意法半导体的新系列场效应整流二极管(FERD)完美解决了低正向压降(VF)与低漏电流(IR)之间不可兼得的矛盾关系,让充电器和笔记本适配器等设备的设计人员在无需使用成本更高的同步整流管的前提下满足要求最严格的能效标准。EnergyStar6.0...
关键词：整流二极管 IR ST VF 场效应 同步整流管 肖特基二极管 意法半导体 笔记本电脑 正向压降 
IR新增多款600V节能沟道IGBT
《半导体信息》2014年第3期27-27,共1页赵佶 
全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx器件系列为完整的功率应用范围作出优化,从小型马达和...
关键词：IGBT IR 不间断电源 国际整流器 功率半导体 感应加热 用均 销售副总裁 频率范围 开关损耗 
IR开始商业装运氮化镓器件
《半导体信息》2013年第3期38-38,共1页郑冬冬 
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓(GaN)功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所生产。IR总裁兼首席执行官OlegKha...
关键词：氮化镓 IR 家庭影院系统 器件技术 国际整流器 功率管理 消费电子产品 电源转换 市场占有率 产品 
IR推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET
《半导体信息》2013年第1期5-6,共2页郑冬冬 
全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出配备IR最新功率MOSFET的300 V器件系列,可为各种高效工业应用提供基准导通电阻(Rds(on)),这些工业应用包括110 V-120 V交流电压线性调节器和1...
关键词：导通电阻 IR 交流电压 逆变器 线性调节器 国际整流器 并联使用 提升系统 销售副总裁 业界标准 
IR推出第八代1200V IGBT技术平台
《半导体信息》2012年第6期22-22,共1页郑冬冬 
国际整流器公司推出新一代绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。全新的Gen8设计可让高性能Vce(on)降低功耗及增加功率密度,并可提...
关键词：V IGBT技术 八代 IR 节能应用 功率密度 国际整流器 耐用性 销售副总裁 功率电子 结温 
IR打造全新一代Gen7FIGBT
《半导体信息》2012年第5期12-13,共2页郑冬冬 
全球功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。IR新一代Gen7F器件采用击穿沟道式技术,能够为特定...
关键词：功率半导体 开关损耗 功率密度 Gen7FIGBT IR 国际整流器 工作频率 参考设计 温度系数 电磁干扰 
IR推出采用TSOP-6封装的HEXFET MOSFET系列产品
《半导体信息》2012年第3期10-11,共2页郑冬冬 
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件,适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
关键词：负载开关 电开关 逆变器开关 国际整流器 HEXFET MOSFET IR TSOP-6 系列产品 导通电阻 销售副总裁 
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