LDMOS

作品数：423被引量：340H指数：7
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U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
《微电子学》2024年第1期110-115,共6页钱图 代红丽 周春行 陈威宇 
天津市大学生创新创业训练计划项目(202210060101)。
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场...
关键词：LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻 
回字形抗辐射环栅LDMOS建模与验证
《微电子学》2023年第6期1011-1016,共6页肖洋 
重庆市自然基金项目(CSTB2023NSCQMSX0153)
介绍了一种回字形抗辐射环栅LDMOS器件。分析了该器件在版图绘制中的结构优势,并结合Sentaurus仿真结果,通过区域划分和类MOS结构拟合阈值电压,给出了该器件的等效宽长比模型和饱和电流模型。在标准商用0.18μm BCD工艺下流片,测试结果...
关键词：总剂量效应 LDMOS 环栅器件 等效宽长比模型 
一种环形栅LDMOS器件的宏模型
《微电子学》2023年第3期500-505,共6页韩卫敏 刘娇 王磊 洪敏 朱坤峰 张广胜 
重庆市自然科学基金面上项目(CSTB2022NSCQ-MSX0254)
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模...
关键词：环形栅 LDMOS 宏模型 BCD工艺 
具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS被引量：1
《微电子学》2023年第1期134-138,共5页何乃龙 许杰 王浩 赵景川 王婷 朱文明 张森 
国家自然科学基金资助项目(62074030)
提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理,使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部...
关键词：P型埋层 LDMOS 击穿电压 比导通电阻 
用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR结构被引量：1
《微电子学》2022年第3期473-477,483,共6页孙浩楠 王军超 李浩亮 杨潇楠 张英韬 
国家自然科学基金资助项目(61874099)。
基于横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的可控硅结构(LDMOS_SCR)因其较强的单位面积电流处理能力和出色的高压特性,通常用于高压下的静电防护。通过将原本浮空的漏极N+分割为对称的P+、N+和P+结构,提出了一种基于LDMOS_SCR的双向防护...
关键词：静电放电 维持电压 横向双扩散金属氧化物半导体 可控硅结构 TCAD仿真 
一种用于高压防护的新型闩锁免疫LDMOS
《微电子学》2022年第1期77-81,共5页孙浩楠 王军超 李浩亮 张英韬 
国家自然科学基金资助项目(61874099)。
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件。在传统结构中,LDMOS的鲁棒性相对较差,这是器件自身固有的不均匀导通特性和Kirk效应导致的。可将可控硅整流器(SCR)嵌入到L...
关键词：静电放电 维持电压 横向双扩散金属氧化物半导体 闩锁效应 TCAD仿真 
《微电子学》2019年总目次 第49卷 总第279～284期
《微电子学》2019年第6期I0001-I0010,共10页
关键词：BICMOS 《微电子学》 ADC 曲率补偿 LDMOS 基准电压源 SOI 硬件木马检测 
一种带埋层的超低比导通电阻槽型LDMOS被引量：1
《微电子学》2019年第1期125-131,共7页李欢 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001)
提出了一种带n型浮空埋层的超低比导通电阻的变k槽型LDMOS(TLDMOS)。新结构在漂移区内引入变介电常数(VK)的深槽结构和自驱动的U型p区,不仅可提高漂移区的掺杂浓度,还可优化体内电场分布。衬底中引入的n埋层在器件阻断时进一步调制漂移...
关键词：积累层 低压电源 n埋层 槽型LDMOS 
利用P型场环调节表面电场的积累层LDMOS
《微电子学》2019年第1期132-135,共4页孙旭 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001)
提出了一种在N型外延层中带有P型场环的积累层LDMOS。当器件耐压时,N型漂移区中浮空P型场环能调节漂移区的电场分布,以提高器件的耐压。当器件正向导通时,漂移区上方介质层的多晶硅二极管会在漂移区表面形成一层电子积累层,大幅提高器...
关键词：积累层LDMOS P型场限环 多晶硅二极管 
一种基于扩展栅的改进的双通道OPTVLD p-LDMOS被引量：4
《微电子学》2019年第1期146-152,共7页李欢 程骏骥 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目(51237001);中国青年自然科学基金资助项目(61604030);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金资助项目(KFJJ201612)
提出了一种具有超低比导通电阻的新型优化横向变掺杂双通道p-LDMOS。与传统结构相比,该结构在器件表面增加了一个自驱动的扩展栅。该扩展栅不仅显著提高了导通时空穴的导电能力,还改善了阻断时器件表面的电场分布。因此,新结构的击穿电...
关键词：积累层 双通道 高侧 p-LDMOS 比导通电阻 
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