MHEMT

作品数：20被引量：23H指数：3
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张海英徐静波黎明吉宪黄伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所桂林电子科技大学南京电子器件研究所成都海威华芯科技有限公司更多>>
相关期刊：《Chinese Physics B》《Science Bulletin》《科学通报》《微纳电子技术》更多>>
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Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2009年第3期352-355,共4页王维波 王志功 张斌 康耀辉 吴礼群 杨乃彬 
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39...
关键词：砷化镓 变性高电子迁移率晶体管 单片压控振荡器 相位噪声 
GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的计算机模拟与优化
《固体电子学研究与进展》2005年第4期469-474,共6页吴旭 陈效建 李拂晓 
讨论了针对GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)的异质层结构参数的设计优化方法,详细给出了有关的设计步骤与公式。在数值分析与比较的基础上,并综合考虑材料生长与器件工艺的简便性,得到一组优化的MHEMT异质层结构设计参数。模拟所...
关键词：改性高电子迁移率晶体管 计算机辅助设计优化 异质层结构参数 二维电子气 
GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第2期235-237,共3页李献杰 敖金平 曾庆明 刘伟吉 徐晓春 刘式墉 梁春广 
报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反...
关键词：MHEMT 直流特性 砷化镓 铟铝砷 铟镓砷 电子迁移率晶体管 
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