MIS结构

作品数：49被引量：38H指数：3
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溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性
《Journal of Semiconductors》2007年第9期1406-1410,共5页舒斌 张鹤鸣 王青 黄大鹏 宣荣喜 
武器装备预研基金资助项目(批准号:51408061104DZ01)~~
采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MISFET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,...
关键词：溶胶-凝胶 铋锌铌薄膜 金属-绝缘层-半导体结构 电容-电压曲线 
立方相ZnMgO的电学特性
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期167-170,共4页金国芬 吴惠桢 梁军 劳燕锋 余萍 徐天宁 
国家自然科学基金(批准号;60676003)和浙江省自然科学基金(批准号:2406092)资助项目
在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜,并做成金属-绝缘体-半导体(MIS)结构.通过测试MIS结构的C-V曲线,计算得到C-ZnMgO材料的介电常数为10.5±0.5,并获得了介电常数的频率响应:在1～8MHz的频率范围内,介电常数由10.5降到6.4.通过测试MI...
关键词：C-ZnMgO薄膜 MIS结构 介电常数 漏电性能 
不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第4期225-231,共7页卢励吾 周洁 瞿伟 张盛廉 
对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy...
关键词：介质膜 MIS结构 界面陷阱 
具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT
《Journal of Semiconductors》1992年第2期109-115,T001,共8页相奇 罗晋生 曾庆明 周均铭 黄绮 
国家教委博士点基金
本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.
关键词：调制掺杂 HEMT MIS结构 MIS-DHEMT 
Ga_(0.47)In_(0.53)As/SiO_2与Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_2O_3的界面性质
《Journal of Semiconductors》1989年第10期7399-745,共1页江若琏 郑有炓 傅浩 邵建军 黄善祥 
本文研究了GaInAs/SiO_2与GaInAs/Al_2O_3的界面性质.采用PECVD技术以TEOS为源以及采用MOCVD技术以Al(OC_3H_1)_3为源在n^+-InP衬底的n-Ga_(0.47) In_(0.33)As外延层上淀积了/SiO_2和Al_2O_3,制备成MIS结构.结果表明这些MIS结构具有良好...
关键词：MIS结构 等离子 PEVD 界面态 
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