MIS器件

作品数：16被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：何波方家熊汤定元王钦华周浩更多>>
相关机构：中国科学院昆明物理研究所昆明理工大学西利康尼克斯股份有限公司更多>>
相关期刊：《红外》《中国陶瓷》《红外与毫米波学报》《北京理工大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划江苏省教委自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=红外技术x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
退火处理对锑化铟MIS器件C-V特性的影响
《红外技术》2022年第4期351-356,共6页周伟佳 龚晓霞 陈冬琼 肖婷婷 尚发兰 杨文运 
采用原子层沉积技术制备Al_(2)O_(3)薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响。利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al_(2)O_(3)介电层引入了表面...
关键词：锑化铟 C-V特性 金属化后退火 原子层沉积 
InSb阳极氧化膜界面特性研究被引量：1
《红外技术》2012年第4期191-195,共5页余黎静 李延东 信思树 郭雨航 杨文运 
用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和...
关键词：阳极氧化 MIS器件 C-V特性 界面态密度 
HgCdTe MIS器件制备及其C-V特性研究
《红外技术》2002年第5期42-45,共4页张朝阳 蔡毅 张鹏翔 
通过在P HgCdTe上生长阳极硫化膜和ZnS介质钝化层 ,制备出了性能较好的MIS器件 ,并通过对MIS器件C V特性的分析 ,获得了ZnS/自身钝化膜 /P HgCdTe的界面特性。所测的界面电荷密度在 10 10 ～ 10 11cm- 2 之间 ,平带电压在
关键词：HGCDTE MIS器件 C-V特性 红外焦平面探测器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部