表面钝化

作品数：241被引量：469H指数：8
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基于P3HT的有机薄膜晶体管环境稳定性提升
《半导体技术》2025年第1期23-31,共9页李强 丁莉峰 李磊磊 李禹文 李鑫旺 马佳楠 桑胜波 
山西省专利转化计划项目(202405020,202401004);中国国家留学基金(202206935020)。
电子设备领域对高稳定性有机薄膜晶体管(OTFT)的需求日益增长。为了解决有机材料在环境因素作用下影响晶体管稳定性的问题,制备了一种新型OTFT,并同时采用两种方法来提高其环境稳定性:对晶体管进行表面钝化处理,利用钝化层的高化学稳定...
关键词：聚(3-己基噻吩)(P3HT) 有机薄膜晶体管(OTFT) 稳定性提升 表面钝化 有源层共混 
Ga_(2)O_(3)器件表面钝化技术研究进展
《半导体技术》2023年第12期1062-1070,共9页张弘鹏 贾仁需 陈铖颖 元磊 张宏怡 彭博 
国家自然科学基金资助项目(U21A20501);福建省自然科学基金引导性项目(2023H0052);福建省中青年教师教育科研项目(JAT220341);厦门市自然科学基金资助项目(3502Z20227070);厦门市重大科技项目(3502Z20221022);厦门理工学院高层次人才科研项目(YKJ22049R)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带、高理论击穿电场强度、高Baliga优值(BFOM)等优异特性,是制备高压大功率器件的理想半导体材料之一。但是,实现良好的器件表面钝化,尤其是改善绝缘介质/Ga_(2)O_(3)的界面特性仍然是Ga_(2)O_(3)器件研...
关键词：表面钝化 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 能带工程 表面边缘终端 高k介质 
具有优异发光性能的钙钛矿量子点研究进展被引量：7
《半导体技术》2016年第4期249-260,共12页刘翔凯 李泽华 张发焕 皮孝东 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2013CB632101)
在种类繁多的量子点中,基于钙钛矿结构的量子点以其优异的发光性能,如发光效率高和发光谱线窄,受到了人们极大的关注。有机-无机杂化的CH_3NH_3PbX_3(X=Cl,Br,I)和全无机的CsPbX_3(X=Cl,Br,I)是当前重点研究的钙钛矿量子点。详细介绍了...
关键词：钙钛矿量子点 光致发光 表面钝化 发光二极管(LED) 外量子效率(EQE) 
1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究
《半导体技术》2009年第5期478-481,共4页刘兴辉 刘通 
辽宁省自然科学基金项目资助(20082050)
分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(...
关键词：齐纳二极管 噪声 表面钝化 凸点电镀 保护环 
硅系太阳电池表面钝化技术比较被引量：1
《半导体技术》2006年第7期506-508,共3页王涛 王正志 
通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价。从上述三个方面的比较可以看出,RTO/SiNx堆叠钝化技术在提高硅...
关键词：钝化 少数载流子有效寿命 光谱响应 
a－Si：O：H对硅平面三极管的表面钝化
《半导体技术》1995年第3期41-43,共3页邹永庆 华厚玉 
采用ａ－Ｓｉ：Ｏ：Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏电流有了较大的减小，而且具有较强的Ｎａ￣＋阻挡能力。
关键词：硅平面 三极管 表面钝化 硅器件 a-硅∶氧∶氢 
PECVDSi_3N_4钝化工艺的正交优化被引量：2
《半导体技术》1994年第3期21-23,共3页李惠军 
以正文优化试验对ＰＥＣＶＤ工艺进行了最佳淀积条件的优化选择实验，经对最佳条件下所淀积的Ｓｉ＿３Ｎ＿４介质膜进行的科学而严格的光谱、理化特性测定证实了膜体质量是优良的，并在工艺生产中应用获得了十分满意的结果。
关键词：表面钝化 化学汽相沉积 工艺 
改进表面钝化提高塑封整流二极管的可靠性
《半导体技术》1992年第2期64-64,51,共2页刘庆 郑汉彬 
塑料封装整流二极管是电子仪器和设备的重要器件之一,主要用于彩色及黑白电视机、录放象机、收录机、组合音响、无线电通讯设备、雷达、自动控制等设备,国内每年需求量为14～16亿支。它具有工艺简单、成本低廉、外型一致性好、便于机械...
关键词：整流二极管 塑封 表面钝化 可靠性 
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