掺杂剂

作品数：229被引量：461H指数：10
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掺杂剂不同的重掺硅片的抛光特性被引量：1
《稀有金属》2021年第8期1018-1024,共7页周莹莹 张果虎 周旗钢 史训达 林霖 路一辰 
国家重点研发计划项目(2017YFB0305603);北京市顺义区科技三项费项目(KS201824)资助。
不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得...
关键词：掺杂剂 重掺硅片 化学机械抛光技术 
掺杂剂对200 mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响被引量：1
《稀有金属》2019年第6期668-672,共5页韩萍 曲翔 周旗钢 肖清华 刘斌 何宇 
国家科技重大专项项目(2010ZX02302001)资助
在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成。主要针对不同掺杂剂的200 mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition, AP...
关键词：颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积 
制备Ga As激光窗口材料的一种新型补偿掺杂剂被引量：1
《稀有金属》2004年第3期554-557,共4页黎建明 屠海令 
用氧化铬 (Cr2 O3)作补偿掺杂剂、LEC法生长的GaAs窗口晶体 ,容易满足高阻补偿条件 ,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制 ,获得低自由载流子光吸收的优质GaAs红外激光出口材料。补偿掺杂剂氧化铬 (Cr2 O3)剂量为 99 9999%Ga和 99 999...
关键词：GAAS 激光窗口 补偿掺杂 
n型<100>掺硫GaP单晶研制
《稀有金属》1992年第6期467-470,共4页俞斌才 邓志杰 马三胜 刘锡田 
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加...
关键词：磷化镓 单晶 硫 掺杂剂 N型半导体 
磷化物掺杂剂与钽的互相作用被引量：2
《稀有金属》1991年第6期424-428,共5页王向东 曹蓉江 宋显申 佟世昌 毛襄萍 
查明磷化物掺杂剂与钽基的互相作用,是了解掺杂剂影响钽阳极的比容、击穿电压和漏电流等性能的基础。为此,本文用高温俄歇谱仪和X射线衍射仪对掺杂试样进行了分析,发现在掺杂量≥0.5％时,其主要作用机理为:P_2O_5+2Ta=Ta_2O_5+2P,3Ta+P=...
关键词：钽 磷化物 掺杂 机理 
磷化物掺杂剂对钽阳极氧化膜组成及击穿特性的影响被引量：2
《稀有金属》1991年第2期124-127,共4页王向东 曹蓉江 宋显申 佟世昌 
利用俄歇谱仪(AES),采用氩离子溅射剥离的方法对不掺杂和掺杂钽片的阳极氧化膜进行了纵向分析。发现:掺杂剂中的磷原子确实进入到阳极氧化膜内。假设进入氧化膜内的掺杂剂中的磷原子作为杂质中心存在,在强电场作用下电离而释放出电子。...
关键词：钽 阳极氧化膜 磷 组成 击穿特性 
硅单晶掺杂技术探讨被引量：1
《稀有金属》1979年第3期46-53,共8页曾世铭 
一、什么是掺杂 硅的本征电阻率很高,约为2.3×10~5欧姆·厘米,而大多数的半导体硅器件诸如硅可控整流器,二极管,晶体管,集成电路等都仅需用N型或P型,电阻率低于200欧姆·厘米的硅单晶。
关键词：单晶炉 电炉 杂质浓度 掺杂剂 晶体 杂质分布 电阻率值 母合金 中间合金 区熔法 硅单晶 掺杂技术 
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