超低压

作品数：214被引量：401H指数：8
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超低压ITO基壳聚糖电解质纸张薄膜晶体管的制备
《材料导报》2013年第18期9-11,27,共4页刘欣 赵娟 赵孔胜 刘全慧 
国家自然科学基金(11175063);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2007CB310500)
采用一步掩膜法通过射频磁控溅射设备同时制备源极、漏极以及沟道层,采用具有双电荷层效应的壳聚糖薄膜为栅介质,成功制备出以纸张为衬底的超低压薄膜晶体管。这种柔性衬底薄膜晶体管具有良好的电学性能:超低的工作电压(仅为0.8V),场效...
关键词：纸张薄膜晶体管 超低压 ITO 壳聚糖 双电层效应 
一步掩膜法制备超低压ITO沟道纸上薄膜晶体管
《物理学报》2012年第4期402-406,共5页毛延凯 蒋杰 周斌 窦威 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310500);国家自然科学基金(批准号:10874042)资助的课题~~
基于一步掩模法工艺制备了一种新型的纸上双电荷层超低压薄膜晶体管.在室温射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源漏电极和ITO沟道.在此基础上,以等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)合成的具有双电荷...
关键词：超低工作电压 一步掩模法 双电荷层 微孔SiO_2 
渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
《物理学报》2006年第6期2982-2985,共4页赵谦 潘教青 张靖 周帆 王宝军 王鲁峰 边静 安欣 赵玲娟 王圩 
国家"973"计划(批准号:G2000068301);国家"863"计划(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金项目(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~
采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变...
关键词：超低压 选择区域生长 渐变掩蔽图形 
用于10Gb/s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源被引量：4
《物理学报》2006年第3期1259-1263,共5页赵谦 潘教青 张靖 李宝霞 周帆 王宝军 王鲁峰 边静 赵玲娟 王圩 
国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:G2000068301);国家高技术研究发展计划(863)项目(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题.~~
采用超低压(22×10~2Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal-organic chemicalvapor deposition,MOCVD)技术成功制备了应变型InGaAsP/InGaAsP电吸收调制器(electroabsorption modulator,EAM)与分布反...
关键词：超低压 选择区域生长 集成光电子器件 10 Gb/s 
超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源被引量：4
《物理学报》2006年第1期261-266,共6页赵谦 潘教青 张靖 周光涛 伍剑 周帆 王宝军 王鲁峰 王圩 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:G2000068301);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312150);国家自然科学基金(批准号:90101023;60176023;60476009)资助的课题~~
采用超低压(22×102Pa)选择区域生长(selective area growth,SAG)金属有机化学气相沉积(metal_organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术成功制备了InGaAsP/InGaAsP级联电吸收调制器(electro absorption modulator,EAM)与分布反馈...
关键词：超低压 选择区域生长 集成光电子器件 超短光脉冲 
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