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超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展(续)
《半导体技术》2025年第5期417-434,共18页赵正平 
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件 
氧化镓射频器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第2期1-11,共11页郁鑫鑫 沈睿 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3605504)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频...
关键词：氧化镓 超宽禁带 射频器件 
基于超宽带雷达深度学习的人体健康监测系统研究
《仪表技术》2025年第2期58-62,共5页陈晓丹 李浩源 曾伟超 林佳锐 陈新欣 张敏 
2023年国家级大学生创新创业项目(202313720003);2023年校级“自动控制与智能检测创新团队”项目(2023TDZK002);2024年校级质量工程项目(KCJJD202401);2024年校级教学资源库项目(JXZYK2024009)。
针对传统人体健康监测存在的准确率低、耗时长问题,设计了一种基于超宽带雷达深度学习的人体健康监测系统。系统核心为STM32F405RGT6芯片,结合PCB双面板、Wi-Fi模块及显示屏模块,实现数据采集与硬件集成。超宽带雷达模块负责捕捉人体生...
关键词：超宽带雷达 呼吸频率 心率 非接触性监测 
超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展
《半导体技术》2025年第4期313-332,共20页赵正平 
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件 
基于人工表面等离激元的超宽带带通滤波器
《光通信研究》2025年第2期93-98,共6页束耀辉 汤一铭 李泽坤 
【目的】人工表面等离激元(SSPPs)具有诸多优秀的性能,如低损耗、高传输效率和对电磁波的束缚能力强等,被广泛应用于微波器件设计。文章基于SSPPs设计并研制了一款结构简单、易于加工和带外抑制性能良好的超宽带带通滤波器(BPF)。【方...
关键词：人工表面等离激元 带通滤波器 超宽带 共面波导 开口谐振环 
超宽禁带半导体材料发展现状与展望
《前瞻科技》2025年第1期28-35,共8页赵璐冰 吴玲 
文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求,系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展,提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议,以期为后续中国超宽禁带半导体材料的发...
关键词：金刚石 氧化镓 氮化铝 超宽禁带半导体 
一种超宽带四臂螺旋钻孔雷达天线
《电讯技术》2025年第3期477-483,共7页李佳颖 刘建霞 赵珍珍 师振盛 张安学 
国家重点研发计划(2021YFB3900102);山西省基础研究计划青年科学研究项目(20210302124171)。
提出了一种基于电阻加载的超宽带四臂螺旋钻孔雷达天线。该天线在偶极子天线的基础上,采用Wu-King电阻加载方法,即天线沿纵向的电阻值依次增加,减少了天线的末端传输电流,使得天线的输入阻抗更加稳定,有效地提升了天线的带宽。同时,通...
关键词：钻孔雷达 超宽带天线 电阻加载 四臂螺旋 
新型亚氧化物化学气相传输工艺低成本生长β-Ga_(2)O_(3)厚膜
《人工晶体学报》2025年第3期445-451,共7页陈旭阳 李昊勃 秦华垚 许明耀 卢寅梅 何云斌 
国家自然科学基金(62274057,11975093,52202132);湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目(T201901)。
β-Ga_(2)O_(3)作为一种超宽禁带半导体材料,在功率器件领域具有广阔的应用前景。本工作提出一种快速外延生长β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜的新方法——亚氧化物化学气相传输(SOCVT);该方法具有操作简单、设备价格低廉等优势。利用液态Ga和固...
关键词：亚氧化物化学气相传输 β-Ga_(2)O_(3) 厚膜 低成本 超宽禁带半导体 
超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期263-275,共13页魏雨夕 马昕宇 江泽俊 魏杰 罗小蓉 
稳定专项(WDZC202446003);电子薄膜与集成器件全国重点实验室开放课题项目(KFJJ202306)。
氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))具有超宽禁带(E_(g)=4.5~4.9 eV)和高临界击穿场强(E_(br)=8 MV/cm),器件的Baliga优值理论上可达SiC和GaN基器件的4倍和10倍。然而,氧化镓功率器件的耐压仍远低于理论值,且大功率器件及其热稳定性的研究较少;材...
关键词：氧化镓 功率半导体器件 二极管 场效应晶体管 电热特性 可靠性 
超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期290-311,共22页谢银飞 何阳 刘伟业 徐文慧 游天桂 欧欣 郭怀新 孙华锐 
集成电路材料全国重点实验室开放课题(SKLIC-K2024-04);广东省科技创新青年拔尖人才项目(2021TQ06C953);深圳市基础研究面上项目(JCYJ20190806142614541)。
氧化镓的低热导率是其功率器件发展的最大瓶颈,使其在高功率密度下产热时面临高效散热的巨大挑战。因此,开发全新的热管理和封装技术迫在眉睫。通过材料、器件和封装多层面的热管理来缓解自热引发的性能与可靠性问题成为关键。本文综述...
关键词：热管理 超宽带隙 氧化镓 材料-器件-封装 结侧散热 高导热率衬底集成 电热协同设计 
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