尚再艳

作品数：8被引量：84H指数：4
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供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文主题：溅射靶材靶材半导体集成电路制造集成电路更多>>
发文领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信冶金工程更多>>
发文期刊：《稀有金属》《无损检测》《铸造技术》《贵金属》更多>>
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高纯贵金属靶材在半导体制造中的应用与制备技术被引量：26
《贵金属》2013年第S01期79-83,共5页何金江 陈明 朱晓光 罗俊锋 尚再艳 贺昕 熊晓东 
2012年国家科技支撑计划项目(2012BAE06B06;2012BAE06B07)资助
高纯Au、Ag、Pt、Ru贵金属及其合金溅射靶材是半导体PVD工艺制程中的溅射源材料,广泛用于半导体制造工艺中,成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备(金属熔铸...
关键词：金属材料 半导体 溅射靶材 高纯 金 银 铂 钌 
超高纯AlSi1铸锭反偏析研究
《热加工工艺》2013年第9期46-47,50,共3页尚再艳 刘红宾 陈明 杨宇辉 
国家863课题(2008AA031802)
通过实验研究了AlSi1铸锭反偏析现象。采用真空感应炉熔炼、石墨模铸造获得高纯AlSi1合金铸锭。利用电感耦合等离子体发射光谱仪分析铸锭中Si成分分布,采用间隙气体分析法分析铸锭气体含量,使用光学显微镜观察了铸锭金相组织。研究发现...
关键词：高纯AlSi1 反偏析 析气 
钴再结晶退火的研究被引量：3
《热加工工艺》2013年第4期182-183,187,共3页范亮 尚再艳 黄志勇 李勇军 何金江 
在较大热轧变形量的情况下,研究了工业纯钴在两种不同退火冷却方式下,不同退火温度的金相组织和硬度,同时对样品进行了XRD分析。结果发现,冷却方式对显微硬度有异常影响,确定了工业纯钴的再结晶温度,也对空冷情况下显微硬度异常变化的...
关键词：钴 退火工艺 再结晶温度 显微硬度 
镍的电子束熔炼提纯研究被引量：10
《稀有金属》2013年第1期116-122,共7页尚再艳 张涛 陈明 朱晓光 刘红宾 何金江 
国家科技部"十二五"国家科技支撑计划项目(2012BAE06B00)资助
高纯镍是制造半导体集成电路及微电子行业用电子薄膜材料的原材料。采用电子束熔炼方法制备高纯镍,研究了一次和二次电子束熔炼对高纯镍锭纯度、表面质量和内部铸造缺陷的影响。通过对铸锭宏观形貌的观察和杂质含量的化学分析,发现一次...
关键词：电子束 熔炼 高纯镍 提纯 
无损检测在溅射靶材制造中的应用被引量：1
《无损检测》2012年第7期57-60,共4页刘红宾 刘伟 陈明 尚再艳 高岩 何金江 王欣平 吕保国 江轩 
作为关键原材料之一,电子信息产业对溅射靶材质量要求非常严格。无损检测对于确保溅射靶材质量具有重要意义。溅射靶材生产过程中应用的无损检测技术主要是X射线技术和超声波技术。无损检测工序的安排需要合理并兼顾生产效率。检测项目...
关键词：电子信息 溅射靶材 无损检测 超声波检验 
热处理工艺对CuNiMnFe合金性能的影响被引量：2
《稀有金属》2009年第1期119-123,共5页尚再艳 王欣平 杨永刚 杨亚卓 
使用真空感应熔炼制备CuNiMnFe合金,对合金均匀化前后的微观组织进行分析,并研究了淬火工艺、时效工艺对合金性能的影响。结果表明:CuNiMnFe合金进行800℃,8 h的均匀化处理后,合金成分分布均匀;合金采用热锻及时效热处理工艺即可达到强...
关键词：高强度 CuNiMnFe 热锻 时效热处理 
热处理对99.999 5%高纯Al-Si合金第二相的影响被引量：4
《铸造技术》2008年第1期64-67,共4页杨亚卓 尚再艳 孙秀霖 何金江 王欣平 
北京市科技计划重大项目(D0405001040131)
通过光学显微镜、偏振光、扫描电镜观察,硬度测试及第二相体积分数的计算,研究高纯Al-Si合金在均匀化、再结晶退火过程中第二相分布和形态的变化,以及第二相对材料显微组织和性能的影响。结果表明,铸锭经530℃×7h均匀化处理后,枝晶偏...
关键词：高纯Al-Si合金 第二相 均匀化 再结晶退火 显微组织 
集成电路制造用溅射靶材被引量：47
《稀有金属》2005年第4期475-477,共3页尚再艳 江轩 李勇军 杨永刚 
北京市科学技术委员会专项基金资助项目(D0405001040431)
溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄...
关键词：集成电路 溅射 靶材 半导体 
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