李佩

作品数：11被引量：29H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
发文主题：超宽带高频段二次变频可制造性接口形式更多>>
发文领域：电子电信电气工程文化科学一般工业技术更多>>
发文期刊：《微波学报》《微电子学》《火控雷达技术》《电子技术应用》更多>>
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瓦片式数字阵列模块研制被引量：2
《电子技术与软件工程》2021年第11期82-83,共2页唐亮 陈兴国 李佩 
本文介绍了一种基于单元数字化片式架构的S波段数字阵列模块设计和实现,突破了多种关键技术,具有高效率、大带宽、高密度三维集成等特点。经测试验证,满足雷达通信多功能一体化系统的未来需求。
关键词：瓦片式 数字阵列模块 单元数字化 
平面近场测试高斯波束束腰半径的方法被引量：1
《雷达科学与技术》2017年第5期563-566,共4页陈谦 金谋平 汪伟 李佩 
中国电子科技集团公司资助项目(No.201362401020401)
高斯波束理论广泛应用于准光学、毫米波领域,束腰半径作为高斯波束最重要的参数,在工程应用中具有重要价值,有必要对其进行精确测量。提出了一种基于平面近场测试高斯波束束腰半径的方法,对准光学、毫米波装置的出射波束进行平面近场测...
关键词：束腰半径 高斯波束 平面近场测试 波束波导 
基于小孔耦合的毫米波宽带定向耦合器研究被引量：1
《火控雷达技术》2016年第3期69-72,共4页丁德志 金来福 徐金平 桂勇锋 李佩 
本文基于小孔耦合理论和电磁场全波分析法,根据正向叠加和反向抵消原则,确定耦合孔半径、间距和数量,并通过HFSS软件进行仿真设计,实现了毫米波段定向耦合器的工作频段展宽;提出了一种新颖的波导腔体三层结构设计方案,解决了波导接触面...
关键词：W波段 小孔耦合 定向耦合器 
一种双频段圆极化阵列天线
《信息通信》2016年第6期23-25,共3页张小刚 曹军 陈嗣乔 郑灵 金谋平 李佩 
文章将宽带单极化Vivaldi天线正交排列,通过圆极化电桥馈电,构建双频段圆极化阵列天线的基本辐射单元。利用遗传算法优化圆极化基本辐射单元的曲线特性、开槽宽度等影响电性能的主要结构参数,使其阻抗带宽及轴比带宽满足双频段工作的特...
关键词：双频段 轴比 圆极化 VIVALDI 阵列天线 
基于小孔耦合的毫米波宽带定向耦合器研究被引量：2
《微波学报》2016年第3期69-72,共4页丁德志 金来福 徐金平 桂勇锋 李佩 
基于小孔耦合理论和电磁场全波分析法,根据正向叠加和反向抵消原则,确定耦合孔半径、间距和数量,并通过HFSS软件进行仿真设计,实现了毫米波段定向耦合器的工作频段展宽;提出了一种新颖的波导腔体三层结构设计方案,解决了波导接触面缝隙...
关键词：W波段 小孔耦合 定向耦合器 
毫米波段复介电常数测量的开放腔法改进被引量：8
《微波学报》2010年第3期38-43,共6页桂勇锋 窦文斌 姚武生 李佩 
为实现毫米波段低损耗电介质材料的复介电常数高精度测量,文章主要关注开放腔法宽频带内腔长的精确确定、相对介电常数反演的多值解、误差的完整分析、测试系统检验以及自动测量等理论和技术难题。显然,这些问题的存在会影响开放腔法测...
关键词：毫米波 复介电常数测量 低损耗 开放腔法 经检验系统 
一种新型的微带-槽线过渡被引量：2
《无线电工程》2007年第7期35-36,共2页张运传 李佩 王秉中 
介绍了一种利用近似平面集总参数并联LC电路制成的小尺寸微带-槽线过渡。在4～10GHz的频段内对过渡结构的插入损耗进行了优化并得到了一组优化尺寸。设计了2个测试电路以便于间接测试出过渡结构的结果。对近似的LC结构进行了分析,并算...
关键词：集总参数 LC电路 过渡 插入损耗 
新型微波有源混频放大MMIC设计被引量：2
《微波学报》2006年第1期27-30,共4页李佩 陈兴国 
采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz^3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介...
关键词：GAAS PHEMT工艺 单片有源混频放大器 ADS软件 变频增益 隔离度 
一种雷达微波接收机电路的集成化设计与实现被引量：3
《微电子学》2005年第4期441-444,共4页李佩 陈兴国 朱华顺 
文章叙述了实现雷达接收机立体微波集成电路的基板及焊接工艺,研制了一种针对多通道雷达接收机的接收集成电路。提出了芯片电路设计,多层基板实现,以及芯片封装等实现方法。测试结果表明,电路达到了预期的设计目标。该集成电路的实现,...
关键词：雷达接收机 单片微波集成电路 多层基板 微组装 
单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用被引量：3
《微电子学》2005年第3期326-328,共3页陈兴国 李佩 刘同怀 黄鲁 
采用GaAsPHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果。最后,介绍了单片低噪声放大...
关键词：低噪声放大器 砷化镓 异质结高电子迁移率晶体管 T/R组件 
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