陈勖

作品数：4被引量：2H指数：1
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供职机构：东南大学能源与环境学院射频与光电集成电路研究所更多>>
发文主题：CMOS传输线分布式放大器共面波导CMOS工艺更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>
发文期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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0.6μm CMOS分布式放大器设计被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第1期58-62,共5页陈勖 王志功 李伟 
采用了国内0．6μm标准CMOS工艺设计实现了一种单片集成的分布式放大器。放大器采用四级级联结构，单元电路采用管联（cascode）结构以提高隔离度。在输人输出端50Ω匹配情况下，测试得到的频带宽度为0．1～4.0GHz，增益为5.0±1.0dB，...
关键词：分布式放大器 电感 互补金属氯化物半导体 管联结构 
CMOS工艺片上传输线研究被引量：1
《东南大学学报（自然科学版）》2006年第6期892-896,共5页陈勖 王志功 李智群 
对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究．从理论上分析了传输线分布参数和损耗，利用0．13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库，在0．1—30 GHz频率范围内利...
关键词：CMOS工艺 微带线 共面波导 分布参数模型 
CMOS 0.13 μm共面波导建模与特性分析
《固体电子学研究与进展》2006年第4期485-489,共5页陈勖 王志功 李智群 夏峻 
基于TSMC0．13μm CMOS工艺，对深亚微米硅基上的共面波导特性进行了研究。在分析中引入了保角映射等数值方法，给出了有效介电常数εeff、特征阻抗Z、单位电容C等传输线指标随几何参数变化的计算公式。并设计了特征阻抗分别为50Ω和70...
关键词：共面波导 互补金属氧化物半导体 低阻硅 散射参数 
Characterization and Modeling of Finite-Ground Coplanar Waveguides in 0.13μm CMOS
《Journal of Semiconductors》2006年第6期982-987,共6页陈勖 王志功 
台湾地区TSMC公司器件建模资助项目~~
We discuss the characterization and modeling of coplanar waveguides （CPW） realized in TSMC 0. 13μm CMOS process. EM-field simulations with momentum are performed to estimate the important parameters of the transmis...
关键词：coplanar waveguide CMOS S-PARAMETER 
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