谢茂林

作品数：9被引量：34H指数：5
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供职机构：中国工程物理研究院更多>>
发文主题：超高压碳化硅热等静压氧化铝两面顶更多>>
发文领域：化学工程一般工业技术冶金工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《硅酸盐学报》《稀有金属材料与工程》《中国陶瓷》《功能材料》更多>>
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核燃料循环设施洪水设防标准研究
《核动力工程》2016年第S1期135-138,共4页孔庆军 谢茂林 孙德泉 赵昱龙 王婧 
日本福岛核事故后,世界各国更加关注外部事件对核设施的潜在影响,包括洪水对核设施的潜在影响。当前,国内核燃料循环设施缺乏合理的防洪标准,不仅阻碍了核设施防洪工作的开展,也影响了核设施的安全性。本文以核设施潜在风险为基础,借鉴...
关键词：核燃料循环设施 洪水设防标准 
热等静压纯钒性能研究被引量：1
《功能材料》2011年第B11期908-911,共4页叶林森 鲜晓斌 迟永刚 胡文军 张友寿 谢茂林 
中国工程物理研究院重大基金资助项目(2007A04001)
采用热等静压技术（HIP）制备纯钒,利用动态拉伸,扫描电镜（SEM）、金相（OM）及TGA测试分析材料的动态损伤行为、焊接性能及高温氧化性能。结果表明动态拉伸应变率在100~1200s-1范围内,极限拉伸强度σb在400~700MPa且随应变率增加而呈...
关键词：热等静压 纯钒 动态损伤 焊接性能 高温氧化 
纯钒制备及其性能被引量：8
《稀有金属材料与工程》2010年第5期928-931,共4页鲜晓斌 叶林森 冷邦义 谢东华 谢茂林 迟永刚 
中国工程物理研究院院重大基金(2007A04001)
采用热等静压(HIP)技术制备纯钒,利用材料试验机、OM、SEM、TEM和TGA等测试纯钒的力学性能并观察其拉伸断口形貌、进行热重分析。结果表明:热等静压温度在1250℃以上可以实现全致密化;随温度的升高,抗拉强度、屈服强度均先降低后增加,...
关键词：热等静压 纯钒 性能 组织 氧化 
纳米SiC陶瓷的超高压烧结研究(英文)被引量：7
《硅酸盐学报》2009年第7期1268-1272,共5页鲜晓斌 谢茂林 罗德礼 冷邦义 陈伟 鲁伟员 
以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1000～1300℃,4.0～4.5GPa,15～35min)实现了4%(质量分数,下同)Al2O3烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响。用X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试仪等对Si...
关键词：碳化硅 氧化铝 烧结 超高压 
无烧结助剂SiC陶瓷的高压烧结研究被引量：6
《中国陶瓷》2009年第1期19-22,共4页谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 陈伟 鲁伟员 范辉 
以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1100-1300℃,4.0-4.5GPa,20-35min)实现了无烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响。用XRD、SEM、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征。结果表明:...
关键词：碳化硅 烧结 超高压 
Be/CLAM钢热等静压连接界面特性及力学性能被引量：3
《稀有金属材料与工程》2008年第12期2157-2160,共4页冷邦义 鲜晓斌 罗德礼 谢茂林 黄火根 蓝林钢 
以AgCu28合金作为过渡层材料,采用热等静压(HIP)方法进行Be/CLAM钢(中国低活化马氏体钢)的扩散连接。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及剪切试验分析了接头的扩散层显微组织、元素分布和力学性能。研究表明:采用AgCu28合金作为过渡层材...
关键词：镀 CLAM钢 热等静压 界面特性 剪切强度 
氧化铝添加量对超高压烧结碳化硅性能的影响被引量：5
《硅酸盐学报》2008年第8期1144-1147,共4页谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 陈伟 鲁伟员 
以纳米SiC为原料,用两面顶压机在4.5GPa/1250℃/20min条件下实现了不同Al2O3烧结助剂添加量(0～7%,质量分数,下同)的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结助剂含量对SiC陶瓷性能的影响。用X射线衍射、场发射电子显微镜、能谱分析、显微硬度测试...
关键词：两面顶 超高压 烧结 碳化硅 氧化铝 
高温超高压烧结纳米SiC的研究被引量：6
《无机材料学报》2008年第4期811-814,共4页谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 谢东华 鲁伟员 
采用高温超高压(HT-HP)技术在4.5GPa/1250℃/20min工艺条件下制备了添加2wt% Al_2O_3助烧结剂的纳米SiC陶瓷.采用X射线粉末衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDX)、纳米压痕(Nano indenter)研究了烧结SiC陶瓷的...
关键词：超高压 烧结 碳化硅 氧化铝 
两面顶低温超高压烧结纳米碳化硅的研究被引量：4
《功能材料》2007年第A10期3790-3792,共3页谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 范辉 
采用两面顶低温超高压（LT-HP）技术在压力4．5GPa、温度（1250±50）℃、烧结时间20min的条件下烧结制备了纳米碳化硅（SiC）陶瓷，研究了烧结体的物相组成、化学成分、微观结构、显微硬度、纳米压痕力学性能等。结果表明，不添加烧结...
关键词：两面顶 超高压 烧结 碳化硅 
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