胡爱斌

作品数：3被引量：2H指数：1
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SOI器件的增强短沟道效应模型
《半导体技术》2009年第6期560-562,共3页卜建辉 刘梦新 胡爱斌 韩郑生 
为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISETCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟。模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置...
关键词：绝缘体上硅 总剂量效应 沟道长度 辐照 阈值电压漂移 
部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置(英文)被引量：1
《半导体技术》2009年第1期65-68,共4页卜建辉 刘梦新 胡爱斌 韩郑生 
通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置,背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时,背沟道的最坏偏置是OFF偏置;当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏...
关键词：绝缘体上硅 总剂量效应 最坏偏置 部分耗尽 辐照 
MOSFET迁移率增强技术被引量：1
《微电子学》2007年第1期61-66,共6页胡爱斌 徐秋霞 
随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用。衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率。文章综述了常...
关键词：MOSFET载流子迁移率 衬底诱生应力 工艺诱生应力 衬底晶向 
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