范洪雷

作品数:6被引量:34H指数:4
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发文期刊:《物理学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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获得多孔硅蓝绿光发射的新方法被引量:3
《四川工业学院学报》2000年第2期132-135,共4页李谷波 张甫龙 范洪雷 陈华杰 俞鸣人 侯晓远 
国家自然科学基金
对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样...
关键词:多孔硅 光发射 快速热氧化 蓝光发射 绿光发射 
多孔硅的微结构与发光特性研究被引量:7
《物理学报》1997年第8期1543-1551,共9页刘小兵 孙洁林 袁帅 廖良生 何钧 缪熙月 范洪雷 徐磊 李民乾 侯晓远 
国家自然科学基金;国家教育委员会跨世纪人才基金
利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效...
关键词:PL光谱 多孔硅 微结构 发光特性 AFM 
获得多孔硅蓝绿光发射的新方法被引量:3
《物理学报》1996年第9期1586-1591,共6页李谷波 张甫龙 范洪雷 陈华杰 俞鸣人 侯晓远 
国家自然科学基金
对多孔硅进行“胺液浸泡+快速热氧化”处理,光致发光谱显示,经处理样品的发光峰值波长短到500nm,而且在干燥空气中存放160d后,发光强度变化很小.红外吸收谱表明,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧,胺液没有在发蓝绿光...
关键词:多孔蛙 发光射 蓝光 绿光 
发光多孔硅的表面氮钝化被引量:12
《物理学报》1996年第7期1232-1238,共7页李谷波 张甫龙 陈华杰 范洪雷 俞鸣人 侯晓远 
国家自然科学基金;"863"高技术计划青年基金资助的课题
报道对多孔硅在NH_3气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)_2和Si_3N_4所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅...
关键词:发光 多孔硅 表面 氮钝化 
低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性被引量:6
《物理学报》1996年第2期297-303,共7页陈华杰 张甫龙 范洪雷 阵溪滢 黄大鸣 俞鸣人 侯晓远 李谷波 
国家自然科学基金资助的课题
用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高...
关键词:氧化 多孔硅 发光稳定性 低温湿氧 
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅被引量:7
《Journal of Semiconductors》1995年第2期113-117,共5页范洪雷 侯晓远 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 
国家自然科学基金
采用脉冲腐蚀方法,研究多孔硅的动态腐蚀过程,测定了动态电流和时间的关系,提出并讨论了动态腐蚀机理.用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅,与直流腐蚀相比较,脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅,而且PL峰位有一定的蓝移,...
关键词:发光多孔硅 脉冲腐蚀 多孔硅 制备 
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