陈忠浩

作品数:4被引量:2H指数:1
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发文期刊:《固体电子学研究与进展》《复旦学报(自然科学版)》更多>>
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聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究被引量:1
《固体电子学研究与进展》2010年第4期615-619,共5页陈忠浩 宋云 曾韡 李越生 
聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C...
关键词:聚焦离子束 铂薄膜 淀积 离子束流 
聚焦离子束辐照对MOS晶体管性能的影响
《固体电子学研究与进展》2007年第3期295-300,共6页宋云 陆海纬 陈忠浩 张兆强 郑国祥 李越生 曾韡 
聚焦离子束(Focusedionbeam)系统现在被广泛应用于大规模集成电路的修补中,FIB辐照对器件性能的影响受到广泛的关注。研究了两种栅尺寸的NMOS晶体管(20μm×20μm和20μm×0.8μm)在不同辐射剂量作用下的阈值电压变化情况,发现在辐射后...
关键词:聚焦离子束 电离辐射 金属氧化物半导体晶体管 阈值电压 
聚焦离子束无掩膜注入单晶硅离子浓度深度分布的研究被引量:1
《复旦学报(自然科学版)》2007年第1期96-99,105,共5页王蓓 陈忠浩 陆海纬 宋云 曹永明 曾韡 
随着聚焦离子束(focusedion beam,FIB)无掩膜微细加工能力的迅速发展,结合精确定位能力,FIB已成为新型且出色的纳米制造工具.对FIB无掩膜注入单晶硅衬底的注入效果与离子束流、注入剂量的关系进行研究发现,以固定能量注入的离子,当注入...
关键词:聚焦离子束 无掩膜离子注入 溅射 刻蚀 离子束流 饱和剂量 
聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究被引量:1
《固体电子学研究与进展》2006年第2期279-284,共6页陆海纬 陈忠浩 王蓓 宋云 曾韡 郑国祥 
利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成...
关键词:聚集离子束 微分析 溅射刻蚀 增强刻蚀 刻蚀束流 
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