曾韡

作品数：19被引量：25H指数：3
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发文主题：聚焦离子束纳米丝电化学性能FPGA芯片阈值电压更多>>
发文领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
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基于MIM结构与金属纳米颗粒双调制的结构色制备被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2019年第1期95-102,共8页高俊 陆奕超 江素华 曾韡 
国家自然科学基金(51572048)
由于传统涂料易褪色且污染环境,如何发展新的染色技术已经成为环保领域的重要议题.随着光学领域的发展和纳米材料的进步,结构色凭借其无污染、纯度高等特性,有很好的应用前景.本文阐述了MIM结构和金属纳米颗粒对于结构色调制的光学原理...
关键词：MIM结构 金属纳米颗粒 结构色 双调制 
镧对硅纳米管生长的影响机制
《复旦学报（自然科学版）》2014年第6期770-773,共4页张文文 曹宇 曾韡 江素华 
国家自然科学基金资助项目(51001029)
采用热蒸发法,在初始反应物硅(Si)及一氧化硅(SiO)混合粉末中加入镧(La)粉,能够成功地制备出硅纳米管.La粉作为一种特殊的气化调节剂,可以通过调节气化SiO的浓度来控制一维硅纳米材料的形貌,而且在最终的产物中并没有发现任何杂质.基于...
关键词：镧粉 硅纳米线 硅纳米管 三相界面 氧化辅助生长 
银膜亚波长圆孔阵列仿真模型的改进
《复旦学报（自然科学版）》2012年第6期740-745,共6页居瓅 王磊 曾韡 
基于常规的有限元时域差分法(FDTD)对银膜亚波长圆孔阵列的光透射增强现象的模拟,与实验结果的差异较大,限制了FDTD在圆孔阵列超透射现象上的应用.采用三维全矢量FDTD,改进模拟结构,适当地选取和设置边界参数后,消除了空气介质界面的影...
关键词：有限元时域差分法 亚波长圆孔阵列 超透射 
基板弯曲对P(VDF-TrFE)铁电薄膜电学性能的影响
《功能材料与器件学报》2011年第6期591-595,共5页顾寅 朱国栋 蒋玉龙 曾韡 
国家自然科学基金(10804020;61076068);教育部博士点基金(200802461088);专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金(10KF004)资助
近年来基于铁电聚合物的柔性存储器件的研制受到了越来越多的关注。铁电聚合物柔性应用的关键因素之一,在于基板弯对其电学性产生多大程度的影响,但迄今这方面的研究较少。本文研究了柔性基板弯曲对铁电聚合物薄膜电学性能的影响,通过...
关键词：铁电薄膜 P(VDF—TrFE) 柔性器件 容变存储 
应用于FPGA芯片时钟管理的锁相环设计实现被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2011年第4期470-476,共7页宋佳 来金梅 王元 郑国祥 曾韡 
国家自然科学基金(60876015)资助项目
设计了一种嵌入于FPGA芯片的锁相环,实现了四相位时钟、倍频、半整数可编程分频、可调节相位输出功能,满足对于FPGA芯片时钟管理的要求.锁相环采用了自偏置结构,拓展了锁相环的工作范围,缩短了锁定时间,其阻尼系数以及环路带宽和工作频...
关键词：现场可编程门阵列 自偏置技术 锁相环 时钟管理 
金属亚波长小孔的光传输特性仿真模型被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2010年第6期757-763,共7页辛骞骞 居瓅 戎瑞芬 曾韡 
用三维全矢量有限元时域差分方法计算了亚波长单孔以及二维周期性孔阵列的超透射特性,分析了平面波光源通过金属圆孔点阵后,透射曲线随着点阵周期、孔径、金属薄膜厚度、介质材料和金属材料变化的规律,以及局域表面等离子体和表面等离...
关键词：表面等离子体 亚波长小孔 超透射 有限元时域差分 
聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第4期615-619,共5页陈忠浩 宋云 曾韡 李越生 
聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C...
关键词：聚焦离子束 铂薄膜 淀积 离子束流 
N&K多功能薄膜分析仪在OLED失效分析中的应用被引量：1
《液晶与显示》2010年第4期582-584,共3页陈柳 俞宏坤 曾韡 彭雅芳 
使用N&K多功能薄膜分析仪对OLED的结构进行分析,对比了不同时间室温老化实验样品的反射率波谱。对反射率进行计算拟合,得到OLED的多层膜结构信息。对相同室温老化实验条件下的完好器件和失效器件的结构进行了对比,发现对于结构为ITO/NPB...
关键词：有机电致发光器件 N&K多功能薄膜分析仪 失效分析 
基于0.13μm工艺的切断反馈回路单粒子效应加固电路的研究
《复旦学报（自然科学版）》2010年第2期158-164,共7页孙鹏 沈鸣杰 程君侠 郑国祥 曾韡 
对0.13μm工艺下的切断反馈回路的单粒子效应加固电路进行了研究,对其机理进行了分析,并对该结构进行了单粒子瞬变效应加固方面的改进,进而提出一种新的单粒子效应加固的D触发器,在0.13μm工艺下进行了SPICE模拟验证,可以在100 MHz的工...
关键词：0.13μm 漏电流 单粒子效应加固 D触发器 
基于非延时积分器Delta-Sigma调制的电容传感器探测电路
《传感技术学报》2009年第11期1581-1585,共5页严博 曾韡 高峰 
研究一种基于非延时积分器Delta-Sigma调制的差分电容探测接口电路,该电路的Delta-Sigma调制使用非延时积分器将采样与积分同时进行,减小普通Delta-Sigma调制型电容探测电路中积分保持阶段的电荷泄露效应,仿真结果表明该结构可明显提高...
关键词：传感器接口电路 电容探测 Delta-Sigma调制 积分器 积分漏电流 
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