方广志

作品数:4被引量:3H指数:1
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供职机构:合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题:电阻温度系数掺氮VOP型ZNO薄膜红移更多>>
发文领域:一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊:《压电与声光》《真空》《理化检验(物理分册)》《红外》更多>>
所获基金:安徽省自然科学基金安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金更多>>
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掺氮ZnO薄膜的光致发光特性研究被引量:2
《压电与声光》2009年第6期881-884,共4页沈洪雪 李合琴 方广志 
安徽省自然科学基金资助项目(03044703);安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金资助项目(2007C002107D)
采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光(PL)特性。观察到370~380nm、390~405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,...
关键词:P型ZNO薄膜 N受主掺杂 荧光光谱 红移 
VO_x/TiO_x/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究被引量:1
《真空》2009年第4期20-23,共4页方广志 李合琴 沈洪雪 宋泽润 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室(2007C002107D)
用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗。分别进行了薄膜的制备工艺与内耗研究。测试分析结果表明:试样的晶体结构、电阻-温度...
关键词:VOx/TFiOx/Ti多层薄膜 磁控反应溅射 电阻温度系数 内耗 
掺氮ZnO薄膜的制备及其光电性能
《理化检验(物理分册)》2009年第1期1-4,19,共5页沈洪雪 李合琴 方广志 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室资助项目(2007C002107D)
在保持氩气流量一定,通过改变O2与N2的流量比,以高纯锌为靶材,通过射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上生长氮掺杂ZnO薄膜。采用XRD、荧光光谱、扫描电镜及皮安表对薄膜的晶体结构、光学性能、表面和截面形貌及电学性能进行了表征。结果表...
关键词:射频磁控溅射 氮掺杂氧化锌薄膜 受主杂质 
溅射气氛对VO_x薄膜结构及性能的影响
《红外》2008年第9期28-32,共5页方广志 李合琴 沈洪雪 宋泽润 
安徽省红外与低温等离子体重点实验室(2007C002107D)资助
溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VO_x薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VO_x薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和...
关键词:VOχ薄膜 射频磁控反应溅射 电阻温度系数 热致变色材料 
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