周方桥

作品数：24被引量：75H指数：6
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发文主题：压敏陶瓷TIO压敏电阻SRTIO电学性能更多>>
发文领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《压电与声光》《材料科学与工程学报》《哈尔滨理工大学学报》更多>>
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低压TiO_2系压敏陶瓷的伏安特性实验分析被引量：1
《电子元件与材料》2010年第5期25-27,共3页朱道云 周方桥 丁志文 
广东工业大学博士启动基金资助项目(No083025);广州市教育局科技计划资助项目(No重点01-2)
采用耗尽层近似理论,分析了低压TiO2系压敏陶瓷在直流偏压下的伏安特性,并对ZnO、TiO2和SrTiO3系三种压敏陶瓷的伏安特性进行了测试、分析和比较。结果表明,在晶界势垒不太高(一般为零点几电子伏)及晶界电场强度不太大(约106V/m量级)的...
关键词：TiO2系压敏陶瓷 伏安特性 热电子发射 肖特基势垒 
受主掺杂对BaSnO_3电阻的电学性能影响被引量：1
《山西师范大学学报（自然科学版）》2009年第2期62-64,共3页梁鸿东 梁海燕 周方桥 王肖燕 
测试BaSnO3电阻样品的复阻抗、损耗电学性能,通过对实验结果的分析得知,通过受主Na2CO3及Mn(NO3)2复合掺杂能够有效增加该材料的晶界电阻.同时得出随着Mn(NO3)2掺杂量的增大,材料的电阻增大,且当掺杂量为1.0 mol%时,材料的电阻率为3.3×...
关键词：受主掺杂 BaSnO3陶瓷 电学性能 Mn(NO3)2掺杂 
BaSnO_3热敏电阻器电学性能的研究
《压电与声光》2007年第5期562-564,共3页梁鸿东 梁海燕 周方桥 王肖燕 
介绍了以BaCO3和SnO2粉料为主原料,SiO2、Bi2O3和Sb2O3为助烧剂,Ta2O5为施主掺杂改性剂,Na与Mn无机盐为受主掺杂改性剂,采用传统固相反应法制备BaSnO3的半导体陶瓷的方法。经测试与分析可知,该半导体陶瓷的相对密度高达理论密度的97%。...
关键词：BaSnO3陶瓷 电子陶瓷制备 NTC效应 
Mn掺杂对BaSnO_3陶瓷的NTC特性的影响被引量：8
《电子元件与材料》2006年第12期44-46,共3页王肖燕 周方桥 王正宇 
以BaCO3和SnO2为主要原料，以Mn为受主掺杂，再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质，用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30-190℃的测试温区内，x（Mn）为1．0％～1．8％的掺杂BaSnO3陶瓷材料，其电阻-温度特性呈现良好的线性...
关键词：电子技术 BaSnO3陶瓷 NTC MN掺杂 
BaSnO_3陶瓷的制备及其电性能研究被引量：4
《电子元件与材料》2006年第6期58-60,63,共4页王正宇 周方桥 陈志雄 
以BaCO3、SnO2为原料，微量SiO2、Bi2O3、Sb2O3作烧结助剂，Ta2O5作施主，采用传统的固相反应法，制备出相对密度迭97％。99％，平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷。采用Na2CO3或Li2CO3与Mn（NO3）2的组合作受主掺杂可有效增强BaSnO3...
关键词：无机非金属材料 BaSnO3陶瓷 电子陶瓷制备技术 电性能 
溶胶-凝胶法制备BaTiO_3薄膜
《山西师范大学学报（自然科学版）》2006年第2期29-31,共3页梁鸿东 梁海燕 周方桥 
广州市教育局科学研究基金项目
利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备BaTiO3薄膜,介绍了Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底及BaTiO3薄膜的制备工艺过程,对薄膜的表面形貌进行了观察分析,同时对其介电与频率关系进行了测试.结论显示,经900℃、120min退火处理的BaTiO3薄膜的结晶性能优良...
关键词：SOL-GEL BaTiO3薄膜 电学性能 
TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究被引量：2
《电子元件与材料》2006年第2期28-30,共3页朱道云 周方桥 庄严 
广州市教育局科技计划资助项目(重点01-2)
研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和...
关键词：电子技术 TIO2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 视在介电常数 
BaSnO_3陶瓷结构及电性能的研究
《四川大学学报（自然科学版）》2005年第S1期199-202,共4页王正宇 周方桥 陈志雄 
以BaCO3,SnO2为原料、微量Si O2,Bi2O3,Sb2O3作助烧剂、Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出了相对密度达97%～99%,平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷.采用Na2CO3和Mn(NO3)2组合作受主掺杂,可有效地增强BaSnO3陶瓷的晶界效应.结...
关键词：BaSnO_3陶瓷 晶粒 晶界 电性能 
二次热处理的SrTiO_3压敏陶瓷电性能的研究被引量：1
《电子元件与材料》2005年第5期11-13,共3页牛丽霞 周方桥 陈志雄 庄严 
广州市科技计划资助项目(2002JI-C0191)
采用逐层研磨及电测量的方法,对800～1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究.结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800～1000℃不同温度热处理的样...
关键词：电子技术 钛酸锶压敏陶瓷 表面氧化层 晶界势垒 二次热处理 SRTIO3 
(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究被引量：9
《材料科学与工程学报》2005年第1期96-98,共3页孟凡明 胡素梅 傅刚 周方桥 
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0...
关键词：TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数 
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