郑大卫

作品数：3被引量：9H指数：1
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多孔硅的微观结构及其氧化特性被引量：9
《Journal of Semiconductors》1995年第1期19-25,共7页黄宜平 郑大卫 李爱珍 汤庭鳌 崔堑 张翔九 
采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采...
关键词：多孔硅 微观结构 氧化特性 
SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析
《固体电子学研究与进展》1993年第3期228-232,共5页王晓晖 汤庭鳌 郑大卫 黄宜平 C.A.Pazde Araujo 
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符...
关键词：SOI结构 MOS场效应管 KINK效应 
中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响
《Journal of Semiconductors》1990年第8期642-645,共4页汤庭鳌 郑大卫 C.A.Paz de Araujo 
本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D^0的影响,推导而得出D^0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10％。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。
关键词：离子注入 硅 砷离子 退火 本征扩散 
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