王晓晖

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：场效应晶体管MOSMOS场效应管解析模型短沟道效应更多>>
发文领域：电子电信医药卫生自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《医用生物力学》更多>>
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一种面向神经系统病变患者的可穿戴步态数据采集和分析智能鞋技术
《医用生物力学》2024年第S01期490-490,共1页黄吉 王晓晖 马昕 杨敏迪 陈文明 
国家重点研发计划项目,2021YFC200235;国家自然科学基金项目,12372322;上海市科技发展基金项目,21511102200;复旦大学医工交叉基金项目,yg2022-5
目的步态是人体步行的姿态和行为特征,反映了神经和运动系统的协调能力。帕金森病患者在疾病发展过程中常伴有步态功能障碍,现有步态分析设备成本高昂、操作复杂,难以在临床应用。本研究旨在开发一套可穿戴系统对神经系统病变患者的运...
关键词：薄膜压力传感器 神经系统病变 疾病发展过程 步态异常 健康受试者 多元线性回归模型 惯性测量单元 步态分析 
精确的短沟MOSFET电路模型及参数提取
《固体电子学研究与进展》1996年第4期352-359,共8页王晓晖 汤庭鳌 
给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参...
关键词：MOSFET模型 短沟 MOS 场效应晶体管 
MOS场效应管的新的电流公式被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第10期686-693,共8页汤庭鳌 王晓晖 郑大卫 
本文采用由相似变换方法求解的二维泊松方程的结果直接用于推导近代ＭＯＳ场效应管的电流－电压特性，避免了过去在推导中引进的关于表面势的假设．所得到的电流模型适用于包括亚阈值工作区在内的不同工作区域．计及了纵向电场引起的载...
关键词：场效应晶体管 MOS 电流公式 
双栅MOS场效应管精确的二维电势分布与V_（th）的解析模型被引量：3
《固体电子学研究与进展》1994年第4期328-334,共7页王晓晖 汤庭鳌 黄宜平 
双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条件，得出ＤＧＭＯＳ体硅的二维电势解析表达式，并由此导出适用于亚微米沟...
关键词：MOS 场效应晶体管 阈值电压 短沟道效应 
SOI/MOSFET Kink效应的模拟和分析
《固体电子学研究与进展》1993年第3期228-232,共5页王晓晖 汤庭鳌 郑大卫 黄宜平 C.A.Pazde Araujo 
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符...
关键词：SOI结构 MOS场效应管 KINK效应 
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