龚政

作品数：5被引量：5H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：INAS分子束外延生长GAAS砷化镓砷化铟更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《物理》《人工晶体学报》《红外》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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新奇半导体低维结构的自组织生长被引量：3
《物理》2006年第8期654-658,共5页牛智川 黄社松 龚政 方志丹 倪海桥 孙宝权 李树深 夏建白 
国家自然科学基金资助项目
文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展,同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况.此外,对这些材料的一些测试方法也进行了介绍.
关键词：自组织 量子线 量子点 量子环 
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第3期482-488,共7页牛智川 倪海桥 方志丹 龚政 张石勇 吴东海 孙征 赵欢 彭红玲 韩勤 吴荣汉 
国家自然科学基金;国家高技术发展研究计划;国家重点基础研究发展计划资助项目~~
The growth of multi-layer InGaAs/InAs/GaAs self-assembled quantum dots （QDs） by molecular beam epitaxy （MBE） is investigated,and a QD laser diode lasing at 1.33μm in continuous operation mode at room temperature ...
关键词：quantum dot INAS laser diode 
In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
《红外与毫米波学报》2005年第5期324-327,共4页方志丹 龚政 苗振华 牛智川 沈光地 
国家高技术研究发展技术资助的课题(2002AA302107)
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从...
关键词：INAS/GAAS量子点 复合应力缓冲层 光荧光 原子力显微镜 
分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性被引量：1
《人工晶体学报》2005年第2期384-386,共3页孙彦 方志丹 龚政 苗振华 牛智川 
国家自然科学基金(No. 60176006;No. 90201026);中国科学院纳米科学与技术项目资助
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1 xAs(x=0. 2, 0. 3 )和3nm的In0. 2Ga0. 8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性。加InAlAs层后PL谱红移到1. 33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV。...
关键词：分子束 外延生长工艺 INAS GAAS 发光特性 光致荧光谱 应力缓冲层 量子点 
GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
《红外》2004年第9期1-5,共5页苗振华 龚政 方志丹 倪海侨 牛智川 
国家自然科学基金资助(60176006;60025410)
采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温...
关键词：分子束外延 砷化镓 砷化铟 纳米结构 原子力显微镜 
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