杨利鹏

作品数：2被引量：7H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
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发文期刊：《红外与激光工程》《红外技术》更多>>
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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In_(0.53)Ga_(0.47)As材料光致发光特性的影响被引量：1
《红外技术》2014年第5期415-418,共4页吴波 邓军 杨利鹏 田迎 韩军 李建军 史衍丽 
国家自然科学基金;编号:U1037602
利用MOCVD在InP衬底上制备InP/In0.53Ga0.47As/InP双异质结PIN型材料,通过对本征层In0.53Ga0.47As材料的光致荧光谱研究,发现PIN结构中两侧InP材料的掺杂特性对中间In0.53Ga0.47As材料的光致发光特性有明显的影响。本文通过对两侧InP材...
关键词：INP 变掺杂 MOCVD INGAAS 
InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀被引量：6
《红外与激光工程》2013年第2期433-437,共5页陈永远 邓军 史衍丽 苗霈 杨利鹏 
国家自然科学基金(U1037602)
分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 s...
关键词：ICP刻蚀 InAs GASB 二类超晶格 SiCl4 AR CL2 AR 
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