李涛涛

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：射频磁控溅射粗糙度SI衬底氮化硼薄膜六方氮化硼更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《人工晶体学报》《武汉科技大学学报》《材料导报》更多>>
所获基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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O_2/(O_2+Ar)流量比对ZnO-0.25mol% V_2O_5薄膜缺陷类型的影响
《人工晶体学报》2017年第4期651-656,661,共7页张俊峰 吴隽 龙晓阳 祝柏林 李涛涛 姚亚刚 
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题(15QT02)
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V_2O_5(ZnO∶V)薄膜,研究了O_2/(O_2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V...
关键词：ZN O∶V薄膜 射频磁控溅射 掺氧量 缺陷态 
特定手性单壁碳纳米管的可控生长
《材料导报》2016年第7期15-21,共7页唐磊 卢会芬 李涛涛 方建慧 姚亚刚 
国家自然科学基金(51372265)
单壁碳纳米管具有优异的电学、光学、热学、力学等性能,可能成为未来纳米器件的支撑材料之一。实现碳纳米管的结构可控生长制备依然面临着严峻的挑战。其中手性控制是单壁碳纳米管可控制备的最大挑战,它的实现标志着直径、壁数、手性角...
关键词：单壁碳纳米管 手性 可控生长 化学气相沉积 
负偏压对六方氮化硼薄膜沉积特性的影响被引量：1
《武汉科技大学学报》2015年第5期351-356,共6页龚甜 吴隽 李涛涛 龙晓阳 祝柏林 祁婷 
湖北省自然科学基金资助项目(2014CFB798);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题(15QT02)
利用射频磁控溅射法在n型Si(100)衬底上沉积六方氮化硼薄膜(h-BN),采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、结构、表面粗糙度、薄膜取向、相变等特性的影响。结果表明,当负偏压为0V时,沉积所得h-BN薄膜表面粗...
关键词：六方氮化硼 薄膜 沉积 SI衬底 射频磁控溅射 负偏压 生长模式 粗糙度 相变 
H_2/(Ar+H_2)流量比对AZO薄膜结构及光电性能的影响
《武汉科技大学学报》2012年第1期56-60,共5页朱胜君 王俊 李念 李涛涛 吴隽 祝柏林 
在Ar+H2气氛下,用RF磁控溅射法在室温下制备Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,研究H2/(Ar+H2)流量比对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,在沉积气氛中引入H2可以提高AZO薄膜的结晶质量,降低AZO薄膜的电阻率,提高其霍尔迁移率和载流子浓度;H2/(Ar...
关键词：H2/(Ar+H2)流量比 AZO薄膜 射频磁控溅射法 结晶质量 电阻率 透光率 
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