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检索条件:"作者=万蔡华 "
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寻找磁单极子被引量:2
《物理》2016年第10期670-671,共2页 韩秀峰 
电和磁遍布现代社会方方面面,构成了现有大部分科学技术的基础。因此大家倾向于认为这些效应已经被充分理解,不存在基础物理层面的未解之谜。诚然,在绝大多数应用场合,这些磁电效应可以用James Clerk Maxwell在1864年归纳的Maxwell方程...
关键词:磁单极子 MAXWELL方程 基础物理 JAMES 科学技术 磁电效应 
High-Sensitivity Tunnel Magnetoresistance Sensors Based on Double Indirect and Direct Exchange Coupling Effect
《Chinese Physics Letters》2021年第12期80-84,共5页Xiufeng Han Yu Zhang Yizhan Wang Li Huang Qinli Ma Houfang Liu Caihua Wan Jiafeng Feng Lin Yin Guoqiang Yu Tian Yu Yu Yan 
Supported by the Framework Project of SGCC(Grant No.5700-202058381A-0-0-00);the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2017YFA0206200)。
Detection of ultralow magnetic field requires magnetic sensors with high sensitivity and low noise level,especially for low operating frequency applications.We investigated the transport properties of tunnel magnetore...
关键词:CONFIGURATION effect COUPLING 
高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究
《中国科技成果》2018年第22期73-74,78,共3页韩秀峰 刘厚方 魏红祥  马勤礼 于国强 丰家峰 余天 王文秀 王琰 
1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿...
关键词:隧穿磁电阻 磁敏传感器 应用 磁性隧道结 材料 性能 芯片 物理 
一种数据非易失性、多功能和可编程的自旋逻辑研究进展
《物理学报》2018年第12期152-159,共8页韩秀峰  
国家重点研发计划(批准号:2017YFA0206200);国家重大科学仪器设备开发专项(批准号:2011YQ120053);国家自然科学基金(批准号:11434014;51620105004;11674373);中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDB07030200);中国科学院国际合作项目(批准号:112111KYSB20170090);中国科学院前沿科学重点研究项目(批准号:QYZDJ-SSWSLH016)资助的课题~~
自旋(磁)逻辑器件具有数据非易失性、CMOS电路兼容性、操作速度快等优点,是开发计算存储相融合的非冯·诺依曼计算机架构的理想候选方案之一.本文进一步演示基于自旋霍尔效应的自旋逻辑方案.利用自旋霍尔效应不仅能够实现基本的布尔逻...
关键词:自旋逻辑 自旋霍尔效应 可编程逻辑 数据非易失性 
Al_2O_3增强的Co_2-C_(98)/Al_2O_3/Si异质结的光伏效应被引量:3
《物理学报》2012年第14期379-387,共9页张歆 章晓中 谭新玉 于奕  
国家自然科学基金委-广东联合基金重点项目(批准号:U0734001);国家自然科学基金(批准号:50772054);国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB929202)资助的课题~~
随着能源危机的加剧,太阳能电池作为开发和利用太阳能的一种普遍形式,日益受到世界各国的重视.随着太阳能电池向着高效率、薄膜化、无毒性和原材料丰富的方向发展,单纯的硅系太阳能电池已经无法达到这样的要求,因此新的材料和工艺的开...
关键词:光伏效应 非晶碳膜 异质结 氧化铝 
Low Gilbert damping in Bi/In-doped YIG thin films with giant Faraday effect
《Chinese Physics B》2024年第10期419-426,共8页Jin Zhan Yi Wang Xianjie Wang Hanxu Zhang Senyin Zhu Lingli Zhang Lingling Tao Yu Sui Wenqing He Caihua Wan Xiufeng Han V.I.Belotelov Bo Song 
supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2023YFE0201000);the National Science Fund for Distinguished Young Scholars(Grant No.52225201);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.52372004 and 52072085);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(Grant Nos.2023FRFK06001 and HIT.BRET.2022001);Heilongjiang Touyan Innovation Team Program.
Magnetic films with low Gilbert damping are crucial for magnonic devices,which provide a promising platform forrealizing ultralow-energy devices.In this study,low Gilbert damping and coercive field were observed in Bi...
关键词:magnonic device Gilbert damping Faraday effect 
基于超快太赫兹散射型扫描近场光学显微镜的自旋电子太赫兹发射光谱技术(特邀)被引量:1
《激光与光电子学进展》2024年第3期248-257,共10页王家琦 代明聪 马一航 王有为 张子建 才家 陈鹏  韩秀峰 吴晓君 
国家重点研发计划(2022YFA1604402)。
基于自旋电子材料的太赫兹(THz)发射器具有高效率、超宽带、低成本、易集成等许多独特优势,不仅能够应用在高重复频率激光振荡器驱动的THz时域光谱仪上,而且在高能飞秒激光放大器驱动下能够产生强场THz电磁脉冲,在THz谱学成像、强场THz...
关键词:太赫兹辐射 自旋电子 散射型扫描近场光学显微镜 太赫兹自旋电流 
Y3Fe5O12(YIG)/Pt异质结构中基于超快自旋塞贝克效应产生太赫兹相干辐射研究被引量:3
《物理学报》2020年第20期128-136,共9页宋邦菊 金钻明 郭晨阳 阮舜逸 李炬赓  韩秀峰 马国宏 姚建铨 
国家自然科学基金(批准号:61975110,11674213,61735010,11604202);上海市青年科技启明星计划(批准号:18QA1401700);上海市教育委员会和上海市教育发展基金会“晨光计划”(批准号:16CG45);上海高校青年东方学者计划(批准号:QD2015020)资助的课题.
铁磁/非磁异质结构中的超快自旋流-电荷流转换实现相干太赫兹辐射得到了广泛研究.热自旋电子学结合了热输运与磁输运,可以有效地产生和探测自旋的非平衡输运.本文利用飞秒激光脉冲激发铁磁绝缘体钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)/Pt异质结构,...
关键词:太赫兹辐射 超快光谱 自旋塞贝克效应 逆自旋霍尔效应 
“旋”酷的超算
《物理》2019年第5期321-322,共2页(编译) 韩秀峰(编译) Niladri Banerjee 
顶点(Summit)——世界上运行速度最快的超级计算机(简称超算),坐落于美国田纳西州橡树岭国家实验室,每秒可执行20亿亿次浮点运算,当之无愧计算机中的巨兽。它如此庞大,以至于两个篮球场才能装得下。它亦如此昂贵,造价高达2亿美金。在中...
关键词:超级计算机 SUMMIT 国家实验室 运行速度 田纳西州 浮点运算 篮球场 顶点 
Voltage-Induced Effect on Resistance of C:N/Si Heterojunctions
《Chinese Physics Letters》2012年第2期178-181,共4页GAO Xi-Li ZHANG Xiao-Zhong WAN Cai-Hua WANG Ji-Min 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos U0734001 and 11074141;the Ministry of Science and Technology of China under Grant No 2009CB929202.
Nitrogen doped a-C/Silicon (a-C:N/Si) heterojunctions have been fabricated by using the pulsed laser deposition (PLD) technique and their current-voltage characteristics at various temperatures are investigated.For re...
关键词:HYSTERESIS C:N VOLTAGE 
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