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检索条件:"作者=张宝顺 "
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高效液相色谱法测定匹多莫德片的溶出度被引量:3
《西南大学学报(自然科学版)》2013年第7期175-180,共6页 宝顺 杨雅莉 王德珍 李学刚 袁吕江 
国家科技部十二五科技支撑项目(2011BAI13B02-1);中央高校基本科研基金资助项目(XDJK2009C087);西南大学博士科研启动基金资助项目(SWU111072)
建立了匹多莫德片溶出度测定的高效液相色谱法.采用Ecosil C18色谱柱(250mm×4.6mm,5μm),流动相为0.01mol/L磷酸二氢钠溶液-甲醇-异丙醇(97∶2∶1),流速为1.0 mL/min,检测波长为210nm,柱温为25℃,外标法定量.照《中华人民共和国药典》(...
关键词:高效液相色谱法 匹多莫德片 溶出度 
着力解决影响和制约科学发展的突出问题
《先锋队》2009年第1期6-8,共3页宝顺 
科学发展观是中国特色社会主义理论体系的最新成果,是我国经济社会发展的重要指导方针,是发展中国特色社会主义必须坚持和贯彻的重大战略思想。开展深入学习实践科学发展观活动,是用中国特色社会主义理论体系武装全党的重大举措,是...
关键词:科学发展观 中国特色社会主义理论体系 经济社会发展 学习实践 最新成果 山西省 
宝顺省长在全省煤炭工作会议上的讲话
《山西煤炭》2004年第1期1-2,5,共3页宝顺 
宝顺省长对 2 0 0 3年全省煤炭工作进行了总结 ,充分肯定了煤炭行业取得的成绩 ,并明确提出了 2 0 0 4年全省煤炭工作应注意的 5个方面 ,以及宏观解决办法。
关键词:煤炭工业 结构调整 安全生产 职工利益 山西 
用中国梦凝心聚力 为中国梦团结奋斗
《紫光阁》2013年第11期37-37,共1页宝顺 
去年11月,习近平总书记在参观《复兴之路》展览时,提出实现中华民族伟大复兴中国梦以来,得到了全国人民的一致认同,也引起了国际社会的广泛关注。中国梦的提出,升华了我们党的执政理念,是当今中国的高昂旋律和精神旗帜,具有强大...
关键词:中国梦 奋斗 党的执政理念 伟大复兴 中华民族 国际社会 统一思想 凝聚力 
复方桐叶烧伤油在肛周脓肿术后切口换药中的临床疗效观察被引量:8
《中国伤残医学》2011年第4期78-79,共2页宝顺 杨玉菊 姚海东 高妮娜 陈飞 
目的:观察复方桐叶烧伤油在肛周脓肿术后换药中的疗效。方法:选择肛周脓肿术后患者140例,随机分为治疗组70例采用复方桐叶烧伤油换药,对照组70例采用凡士林油膏换药。临床观察3、7、14天术后切口变化、痊愈时间。结果:治疗组术后切口渗...
关键词:复方桐叶烧伤油 肛周脓肿 换药 
石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究
《智能电网》2016年第7期644-648,共5页鞠涛 李哲 钮应喜 王嘉铭 立国 范亚明 杨霏 泽洪 宝顺 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
碳化硅同质外延过程中,反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理,极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究,一直没有具体的数据。采用自主...
关键词:碳化硅同质外延 涂层石墨 载流子浓度 碳硅比 
政府工作报告——2004年2月12日在山西省第十届人民代表大会第二次会议上
《山西政报》2004年第4期3-10,共8页宝顺 
各位代表: 现在,我代表省人民政府向大会作政府工作报告,请予审议,并请省政协委员和其他列席人员提出意见。一、2003年政府工作回顾 2003年。
关键词:政府工作报告 各级政府 人民代表大会 大力发展 经济社会发展 加强领导 预期目标 积极推进 高度重视 基础设施建设 
4H-SiC氯基体系外延研究被引量:1
《智能电网》2016年第7期649-652,共4页李哲 鞠涛 钮应喜 王嘉铭 立国 范亚明 杨霏 泽洪 宝顺 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术,而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生长工艺,在自主研发的热壁CVD系统中在20μm/h生长速率的条件...
关键词:碳化硅 外延 化学气相沉积 氯基 
普济痔疮栓治疗痔的疗效观察被引量:1
《中国老年保健医学》2009年第4期80-80,共1页姚海东 高妮娜 宝顺 翟云起 何丽荣 王勇 
目的观察普济痔疮栓治疗痔的临床疗效。方法120例符合痔诊断标准的患者,随机分为两组,治疗组60例,用普济痔疮栓纳肛治疗;对照组60例,用洗必泰栓纳肛治疗。结果总有效率:治疗组为96.7%,对照组75.0%,两组比较,治疗组疗效明显优于对照组,...
关键词:普济痔疮栓  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
《功能材料与器件学报》2000年第3期232-235,共4页李忠辉 宝顺 杨进华 兴德 王向武 
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330~490A/cm2,外微分量子效率为55%~7...
关键词:LP-MOCVD INGAASP/GAAS 量子阱激光器 
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