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基于表面势的碳化硅基VDMOS器件模型
《东南大学学报（自然科学版）》2018年第1期13-18,共6页李秀军 刘斯扬 李胜 孙伟锋 
国家自然科学基金资助项目(61604038;61674030);江苏省自然科学基金资助项目(BK20160691)
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管(VDM OS)模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包括静态部分与动态部分.静态部分不仅分别针对沟道区、积累...
关键词：表面势模型 碳化硅基 VDMOS 阈值电压偏移 界面态 
深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型被引量：1
《微纳电子技术》2004年第6期44-48,共5页陈志坚 郑学仁 姚若河 李斌 
介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。
关键词：深亚微米 CMOS BSIM 电荷模型 表面势模型 电导模型 
A Complete Surface Potential-Based Core Model for Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2092-2097,共6页何进 张立宁 张健 傅越 郑睿 张兴 
the National Natural Science Foundation of China(No.90607017);the Competitive Ear marked Grant 611207 from the Research Grant Council of Hong Kong SAR;the International Joint Research Program(NEDO Grant)from Japan(No.NEDOO5/06.EG01)~~
A surface potential-based model for undoped symmetric double-gate MOSFETs is derived by solving Poisson＇s equation to obtain the relationship between the surface potential and voltage in the channel region in a self-...
关键词：bulk MOSFET limit non-classical CMOS double-gate MOSFET device physics surface potential-based model 
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