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检索条件："关键词=Ar^+刻蚀 "
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Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第1期122-126,共5页吕衍秋 越方禹 洪学鹍 陈江峰 韩冰 吴小利 龚海梅 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50632060)~~
研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和...
关键词：Ar^+刻蚀 INGAAS INP 湿法腐蚀 表面损伤 
HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究被引量：1
《光学仪器》2006年第4期56-59,共4页储开慧 乔辉 汤英文 陈江峰 胡亚春 贾嘉 李向阳 龚海梅 
在HgCdT e光伏探测器件S iO2+ZnS复合介质膜钝化中,引入O+2清洗和A+r刻蚀两种等离子体处理工艺,大大提高薄膜附着力,成功制备出优良的光伏器件。对处理前后的样品进行场发射扫描电子显微镜扫描、原子力显微镜扫描和二次离子质谱测试后发...
关键词：O2^+清洗 Ar^+刻蚀 钝化 HGCDTE光伏探测器 
离子注入剥离铌酸锂单晶薄膜的Ar^+刻蚀研究被引量：1
《压电与声光》2020年第5期674-677,共4页方远苹 罗文博 郝昕 白晓园 曾慧中 帅垚 张万里 
四川省科技支撑基金资助项目(2018JY0127)。
通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层,导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar^+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层...
关键词：铌酸锂(LNO)单晶薄膜 表面损伤层 Ar^+刻蚀 晶体质量 压电性能 
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