国家自然科学基金(60176025)

作品数：5被引量：11H指数：2
导出分析报告
相关作者：陈维德许振嘉宋淑芳陈长勇朱建军更多>>
相关机构：中国科学院北京交通大学北京大学更多>>
相关期刊：《中国稀土学报》《发光学报》《物理学报》更多>>
相关主题：GAN薄膜GAN光致发光掺铒ER更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究被引量：1
《物理学报》2007年第3期1621-1626,共6页宋淑芳 陈维德 许振嘉 徐叙瑢 
国家自然科学基金(批准号:60176025);国家重点基础研究发展计划项目(973计划)(批准号:2003CB314707);中国博士后科学基金资助课题(批准号:2005037302)资助的课题.~~
利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响.在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300cm-1和670cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360cm-1处出现了另外...
关键词：GaN ER RAMAN 散射 光致发光 
掺Er/Pr的GaN薄膜深能级的研究被引量：4
《物理学报》2006年第3期1407-1412,共6页宋淑芳 陈维德 许振嘉 徐叙 
国家自然科学基金(批准号:60176025);国家重点基础研究发展计划项目(973计划)(批准号2003CB314707);中国博士后科学基金(批准号:2005037302)资助的课题.~~
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注入Er经900℃,30min退火后的样品出现了四个深能级,能级位置位...
关键词：GAN ER PR 深能级 
掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光被引量：1
《发光学报》2005年第4期513-516,i0001,共5页宋淑芳 陈维德 张春光 卞留芳 许振嘉 
国家自然科学基金资助项目(60176025)
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1 050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入...
关键词：GAN PR 背散射/沟道技术 光致发光 
掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究被引量：6
《物理学报》2003年第10期2558-2562,共5页宋淑芳 周生强 陈维德 朱建军 陈长勇 许振嘉 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 176 0 2 5)资助的课题~~
采用背散射 (RBS) 沟道 (channeling)分析和傅里叶变换红外光谱 (FT IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光 (PL)特性 .背散射 沟道分析结果表明 :随退火温度的升高 ,薄膜中辐照损伤减少 ;但当退火温度达到1 0 0 0℃ ,薄膜中的缺...
关键词：掺铒氮化镓薄膜 GAN 离子束分析 光致发光 背散射/沟道分析 晶体结构 
掺铒GaN薄膜光致发光的研究被引量：2
《中国稀土学报》2002年第6期535-539,共5页宋淑芳 陈维德 陈长勇 许振嘉 
国家自然科学基金资助课题(60176025)
采用傅立叶变换红外光谱(FT IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性。光致发光谱(PL)的测量结果表明:选用退火时间长的电阻加热退火炉退火,有利于薄膜中晶格损伤的恢复。MOCVD,MBE两种方法制备的GaN薄膜,注入铒,退火后的PL谱形状基本一样;...
关键词：GAN薄膜 稀土 GAN 铒 光致发光 氮化镓 半导体 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部