河北省自然科学基金(E2010000077)

作品数：3被引量：9H指数：1
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硬盘基板化学机械粗抛光的实验研究被引量：1
《半导体技术》2011年第12期923-928,共6页刘利宾 刘玉岭 王胜利 林娜娜 杨立兵 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金资助项目(E2010000077)
针对硬盘NiP/Al基板粗抛光,采用SiO2作为抛光磨料的碱性抛光液,在不同压力、转速、pH值、磨料浓度和活性剂体积浓度下,对硬盘基板粗抛光的去除速率和表面粗糙度的变化规律进行研究,用原子力显微镜观察抛光表面的微观形貌。最后对5个关...
关键词：NiP/Al基板 SiO2磨料 单因素法 化学机械抛光(CMP) 粗糙度 去除速率 
半导体器件硅衬底化学机械平坦化研究被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期744-748,共5页杨立兵 王胜利 邢哲 孙鸣 王辰伟 王娜 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金(E2010000077)
主要对分立器件硅衬底化学机械平坦化(CMP)进行了研究。首先通过正交实验方法研究活性剂、螯合剂、磨料浓度和有机碱对硅材料去除速率的影响,得出活性剂体积分数对去除速率的影响最大,并且研究出去除速率最快的抛光液的最优配比,去除速...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 材料去除速率 抛光液 总厚度变化 分立器件 
300mm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究被引量：7
《半导体技术》2011年第11期836-839,共4页田雨 王胜利 刘玉岭 刘效岩 邢少川 马迎姿 
02国家科技重大专项(2009ZX02308);河北省自然科学基金(E2010000077);天津市自然科学基金项目(10JCZDJC15500)
随着集成电路特征尺寸的减小、低k介质的引入及晶圆尺寸的增加,如何保证在低压无磨料条件下完成大尺寸铜互连线平坦化已经成为集成电路制造工艺发展的关键。采用法国Alpsitec公司的E460E抛光机在低压低磨料的条件下,研究了12英寸(1英寸=...
关键词：铜互连线 低磨料 低压 粗糙度 化学机械抛光 
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